레포트 (145)
pVd/u)d^2은 단면적(A=파이*d^2/4)에 비례하므로 다음과 같이 쓸 수 있다.Fd/p*V^2*A=f3(pVd/u)=f3(Re)비록 Fd/p*V^2*A=f3(pVd/u)=f3(Re)은 구에 대한 것이지만, 방정식의 형태는 어떠한 물체주위의 비압축성 유동에 대해서도 타당하다. Reynolds 수를 나타내기 위해 사용된 특성길이는 물체의 모양에 따라 결정된다.항력계
4페이지 | 1,200원 | 2014.01.14
Fabrication process of CMOS - CMOS 제작 공정
PVD-스퍼터링) - 금속막(금속화), 절연막폴리실리콘 - 기판이 결정구조X, 온도가 낮을 때에도 증착이 가능SiH4 + 열 → Si + 2H2 (H2, 850°C ~ 1000°C)SiH4 + 열 → Si + 2H2 (H2, 600°C ~ 700°C)실리콘 산화막 - SiH4 + 4CO2 → SiO2 + 4CO + 2H2O (N2, 500°C ~ 900°C)5) 이온주입불순물을 조입하여 부분적으로 n형 반도체나 p형
9페이지 | 1,800원 | 2013.12.23
PVD(Physical Vapour Deposition)법 이 있으며 CVD법에 의한 박막 형성은 PVD법에 비하여 고속입자의 기여가 적기 때문에 기판 표면의 손상이 적은 잇점 이 있으므로 주목되고 있으며, 국제적으로 기술 개발을 서두르고 있는 분야이기도 하다. CVD(화학기상증착)법은 기체상태의 화합물을 가열된 모재표면에서 반응
7페이지 | 1,000원 | 2013.12.23
[공작, 공구재료, 재료, 공작기계, 탄소공] 절삭공구의 재료 및 특성
PVD법 등이 있다.2) 피복 초경합금의 미래이상 기술한 바와 같이 코팅 초경공구는 비교적 낮은 코스트로 큰 효과를 낳는 획기적인 공구이다. 또 작업능률, 생자원, 생에너지면에서도 절삭가공에 큰 공헌을 하고 있으나 피복기술이 성숙되지 못해 앞으로 기상에서의 합성이 가능하게 된 다이아몬드막의
12페이지 | 2,000원 | 2013.12.23
PVD등으로 표면 피막한 것과 Mo용사를 입히는 것 등의 표면처리품이 사용주운동계-12베어링엔진의 주운동계 부품커넥팅 로드 크랭크 샤프트사이에 있는 커넥팅 로드 베어링과 크랭크 샤프트 실린더 블록 사이에 있는 메인 베어링의 2종류팽창행정으로 회전 부분이 받는 큰
146페이지 | 2,500원 | 2013.12.23
PVD?Vapor Deposition(증착)?‘박막 증착’이란 어떤 표면(기판)에 박막을 적용하기 위한 기술이라고 할 수 있다. 어떤 물질 표면이나 미리 증착된 층에 원하는 물질을 박막 형태로 붙이는 기술인 것이다. 여기서 ‘Thin(얇은)’이라함은 상대적인 개념이지만 대부분의 증착기술은 10나노미터 내외에서 조절된
15페이지 | 2,200원 | 2013.12.23
PVD의 종류는 Evaporation과 Sputtering으로 나눌 수 있습니다. Evaporation 방법은 고진공상태에서(오염을 줄이기 위해) 전기저항이나 전자빔 등을 이용해서, 기판에 증착하고자 하는 물질의 Source를 가열, 고체 상태로부터 기체 상태로 Evaporization을 시켜 증착하는 방법입니다.즉, 고체 덩어리에 붙어 있던 원자가
4페이지 | 1,200원 | 2013.12.23
PVD – Physical Vapor Deposition)- 스퍼터링(sputtering) 물리적 기상 증착 : 스퍼터링은 글로우 방전에서 발생되는 정이온을 전계에 의해 높은 에너지로 가속시켜 고에너지의 정 이온이 고체의 표면과 충돌하면 고체 표면의 원자 또는 분자가 표면에서 밖으로 튀어나오는 스퍼터링 현상을 이용한 박막제도 방법
10페이지 | 2,000원 | 2013.12.23
PVD : physical vapor deposition)으로 나누어진다. CVD 방식은 증착하고자 하는 물질의 성분을 포함하고 있는 기체화합물을 고온 또는 플라즈마 상태에서 화학적으로 반응 시키는 방법이다. PVD 방식에서는 진공상태에서 물질을 녹여 기화시키거나 플라즈마 상태에서 Ar이온을 가속시켜 물질 입자를 두들겨 때어
19페이지 | 2,500원 | 2013.12.23
PVD)molecular beam epitaxy (MBE)pulsed laser deposition (PLD)metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE)solution phase synthesis : Hydrothermal MethodVapor-liquid-solid (VLS) growthMost useful method for generating nanowiressingle crystal structures relatively large quantities.Process : dissolution reactants into catalyst→ supersaturation→ growth at the solid-liquid interfaceWhy PbS
28페이지 | 1,900원 | 2013.11.22