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습식 가능2)단점가스물질은 제어가 곤란매우 높은 비저항치를 갖는 먼지는 제거 곤란결론코로나 방전을 이용하여 고효율의 집진기 가능하전, 포집, 제거의 과정선대 평판 집진기에서 선전극간 거리, 선전극 직경, 가스 유입속도가 효율에 영향을 미침정극성에 비해 부극성 코로나 방전이 집진효
14페이지 | 1,400원 | 2011.03.23
[반응설계] 대기중의 이산화탄소 포집을 위한 반응기 설계
습식 및 건식 흡수, 압력순환흡착공정(Pressure Swing Adsorption, PSA), 막분리, 심냉법 등 다양한 적용 가능 기술 가운데 현재 액상의 화학흡수제를 이용한 흡수법이 일부 상용화되고 있다. 현재 연소 후 포집기술의 연구방향은 기존에 상용화되어 있는 기술의 이산화탄소 회수 단가를 낮추기 위한 신흡수제 개
19페이지 | 1,800원 | 2011.01.26
습식 처리하여 물리적으로 분리 정제한 식품용 뿐 아니라 제지공업, 섬유공업, 의약용 재료 등에 이르기까지 널리 쓰이고 있으며 용도에 따라 물리, 화학적 변성을 시킨 것이 사용되기도 한다. 끈기가 없고, 색은 하얀색이며, 식품에서는 슈크림을 만들 때 사용하거나 케이크를 만들 때 넣어 단맛을 주
8페이지 | 1,100원 | 2010.10.27
습식문화이기 때문에 유목생활을 중심으로 발달해 온 서양의 건식문화에 비해 뚜렷한 차이를 보인다.또한 문화교류가 밀접하고 지리적으로도 가까운 중국 및 일본과는 식사형태의 공통점이 있기는 하나(곡물음식을 주식으로 하고, 그 외에 부식을 만들어 먹는 식사형태), 각기 역사와 환경을 바탕으
24페이지 | 1,400원 | 2010.10.20
[자산운용](주)동성의 기업 분석(2007-2009년)
습식, 식품운반업, 식품보존업 등을 포함한다.위에서 말한 식품산업의 정의를 바탕으로 식품산업의 분야는 다음과 같이 표현할 수 있다.첫째. 국민의 건강과 생명 유지의 시발점이자 국가 발전의 기반분야이다.둘째. 삶의 질 향상에 가장 밀접한 분야이다.셋째. 다른 산업에 비해 경기에 대한 영향이
37페이지 | 2,800원 | 2010.10.13
습식공간의 분리를 통해 호텔식의 품격 있는 공간을 연출했다. 마감재도 최고급을 사용했다. 바닥은 고급수종인 티크무늬목 및 목창호를 가구는 천연 무늬목을 사용했다. 현관과 욕조, 주방 상판은 천연대리석과 같은 천연 마감재를 사용해 내부 공간 전체에 중후함과 고급스러움을 한층 더했다는 평
21페이지 | 2,000원 | 2010.10.05
습식프레스성형(wet press)건식프레스성형(dry press)점토벽돌 제조 공정1. 점토준비(clay preparation):점토를 분쇄(crushing)하고 분말화(grinding) 하며섞으며(mixing) 하여 균질화(consistency) 한다.물을 가하여(tempering) 소성화(plasticity) 한다.화학제(chemicals)를 첨가한다. - barium carbonate 를 첨가하여 가용성 염을 녹
18페이지 | 1,600원 | 2010.08.26
[재료열역학] Supercritical Fluid(초임계 유체)
습식 세정 기술로서 많은 에너지를 소모하고 공정 후에 폐수를 발생 시키고 오존층 파괴를 유발하는 등의 단점이 있었다. 그런 단점들을 극복하기 위해 초임계 유체를 이용하여 건식 세정 기술을 개발하게 되었다.이산화탄소를 용매로 사용하는 경우에는, 펌프를 이용하여 기체를 임계 압력 이상으로
6페이지 | 1,100원 | 2010.08.07
[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)
습식 산화 제거에 의한 산소 또는 수소 plasma 처리 Inorganic Material LabYonsei Univ.RIE DamageImpurity penetration (implantation, diffusion)Lattice damageDopant loss or loss of dopant activitySurface roughnessGate oxide breakdown Mobile ion contaminationPost-RIE corrosionInorganic Material LabYonsei Univ.Deep RIE process flowDeep RIE process of Pyrex glass using SF6
39페이지 | 2,800원 | 2010.04.26
습식산화Si (solid) + 2H2O (gas) Heat.750 ~ 1200 ℃SiO2 (solid) + H2(gas) Oxidation Growth ModelH2O : aspyrogenicSi/SiO2 Interface layerDry, Wet Oxidation Layer Growth건식산화1hr = 250nm습식산화1hr = 1um H2O의 용해도는 O2보다 1000배정도 차이 Wet Oxidation 방법의 growth가 크다.Oxide-Silicon InterfaceSi/SiO2 interface ChargeSiO
20페이지 | 1,800원 | 2010.04.26
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