[반도체] Oxidation Layering

반도체 물성 과제-semiconductor process flow에 관하여2001006283이충현The chip making processMaking the WaferThe process-A seed crystal is suspended in a molten bath of silicon-It is slowly pulled up and grows into an ingot of silicon-The ingot is removed and ground down to diameter-The end is cut off, then thin silicon wafers are sawn off (sliced) and polishedThe Mask Making ProcessEpitaxyThe growth of an ultra-pure layer of crystalline siliconApprox 3% of wafer thicknessContaminant-free for the subsequent construction of transistorPhotolithography processOxidati

반도체 박막태양광발전 기술과 산업동향, IT SoC Magazine, (2009)15 G. Yu and A. J. Heeger, J. Appl. Phys., 78, 4510 (1995)16 G. Yu, J. Gao, J. C. Hummelen, F. Wudl, and A. J. Heeger, Science, 270, 1789 (1995)17 문상진, 김희주, 나노박막형 유기 태양전지의 기술 동향, Polymer Science and Technology, Vol. 17, No. 4 (2006)18 신원석, 윤성철, 문상진, 유기박막 태양전지 개발 동향, Polymer Science and Technology Vol. 19, No. 3 (2008)19 Solar&Energy Co., Ltd., 최신 유기 태양전지기술 및 시장 전망(2010~2015) 2nd Edition

이다. 가시광선의 에너지는 대략 1.6~3.2 eV 인데 전자가 가시광선을 받아 위로 올라가기에 충분한 에너지가 아니다. 따라서 ITO 는 가시광선을 거의 흡수하지 않고 따라서 투명하다. 또한 반도체의 성질도 지닌다.20Can apply to 3D TVsThis is not advance in LCD technology. It is advance in 3D technology.It is not a fundamental breakthrough.We can use LCD instead of window. LCD can used as curtain and blind.LCD is much more expensive than glass, and electric energy will be wasted.This is not an application in display.23

in the active channel layer on electrical characteristics of ZnO-based thin film transistors, J. Vac, Sci. Technol. B, Vol. 26, No. 4, p. 1472, 2008.6 김한기, 이지면, “산화아연 반도체의 광전소자 응용을 의한 오믹접합 기술 개발동향”, 전기전자재료, 21권, 2호, p. 15, 20087 조신호, “O2/Ar 혼합 유량비를 변수로 갖는 라디오파 마그네트론 스퍼터링으로 성장된 ZnO 박막의 특성”, 전기전자재료학회논문지, 20권, 11호, p. 932, 20071. 서 론2. 실 험3. 결과 및 고찰4. 결 론참고 문헌

oxide층을 뚫고 지나가는 터널링의 확률에 영향을 미친다고 보았다. 전기전도도는 식 sigma =qn mu 로 나타낼 수 있고 여기서 mu 는 전자의 이동도를 나타내는 mobility로 재료마다 다른 특성을 지닌다. 니켈은 금보다 전기전도도가 더 낮고 이에 따라 모빌리티가 더 낮음을 알수 있다. 모빌리티가 더 낮아 전압을 인가했을 시 터널링 할 확률이 더 크고 우리가 실험한 반도체는 p-type으로 accumulation층에 정공이 축적되는데 이 축적된 정공들과 터널링해온 전자들