[물리] 진공증착 및 박막의 두께 측정

증착할 시 사용한 photolithography과정을 나타내면 아래의 그림과 같다.③ C-V, I-V를 측정Ag paste를 MOS 소자의 아랫면에 발라준 후 Voltage를 인가하여 Capacitance와 Current를 측정하였다. Capacitance는 Voltage를 -2V~2V, step 0.1로 인가하여 측정하고, Currrent는 voltage를 0~-10V, step 1로 인가하여 측정한다.④ C-V, I-V 분석C-V, I-V data를 그래프로 나타내어 분석한다.4. 변수 및 결과① 실험 변수각 조별에 따른 변수들의 차이는 아래와 같고, 절연막은 30nm, 전극의 두께는 100nm,

증착- SiO2로 evaporation 시켰을 때 SiO2가 떨어져 나올 수 도 있지만 SiO 또는 Si, O와 같이 떨어져 나오는 경우가 있다. 이때 O는 Vacuum Pump를 통해 Chamber를 빠져 나가므로 E-beam Evaporator 로 화합물 SiO2를 증착시켰을 때 실제 증착되는 물질 은 SiOx로 x는 2보다 작다. 즉 SiO2가 정확히 증착되지 않을 수 있다.● Chamber안의 불충분한 진공상태- 높은 impingement rate 때문에 Si wafer 표면 오염 층이 생길 수도 있다.- 증발되어 날아가는 molecule 과 gas molecule 간 충돌을 일으켜

증착- SiO2로 evaporation 시켰을 때 SiO2가 떨어져 나올 수 도 있지만 SiO 또는 Si, O와 같이 떨어져 나오는 경우가 있다. 이때 O는 Vacuum Pump를 통해 Chamber를 빠져 나가므로 E-beam Evaporator 로 화합물 SiO2를 증착시켰을 때 실제 증착되는 물질 은 SiOx로 x는 2보다 작다. 즉 SiO2가 정확히 증착되지 않을 수 있다.● Chamber안의 불충분한 진공상태- 높은 impingement rate 때문에 Si wafer 표면 오염 층이 생길 수도 있다.- 증발되어 날아가는 molecule 과 gas molecule 간 충돌을 일으켜

증착- SiO2로 evaporation 시켰을 때 SiO2가 떨어져 나올 수 도 있지만 SiO 또는 Si, O와 같이 떨어져 나오는 경우가 있다. 이때 O는 Vacuum Pump를 통해 Chamber를 빠져 나가므로 E-beam Evaporator 로 화합물 SiO2를 증착시켰을 때 실제 증착되는 물질 은 SiOx로 x는 2보다 작다. 즉 SiO2가 정확히 증착되지 않을 수 있다.● Chamber안의 불충분한 진공상태- 높은 impingement rate 때문에 Si wafer 표면 오염 층이 생길 수도 있다.- 증발되어 날아가는 molecule 과 gas molecule 간 충돌을 일으켜

목차1.서론 -①목적-②이론2.기구 및 방법3.결과값4.검토 및 토의 5.결론1.서론①목적진공과 박막을 제작하고 개념을 이해한다. 진공의 개념을 이해하고 만드는 원리를 이해한다. 진공 측정 원리를 이해한다. 박막을 제작하고 두께를 측정해 본다.②이론진공과 박막에 대하여 알아보자.⑴진공물질이 전혀 존재하지 않는 공간을 의미하지만 실제로는 완전한 진공을 만들기가 매 우 어렵기 때문에 보통 1/1000(10-3)㎜Hg 정도 이하의 저압을 진