[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석

실험 배경3. 실험 이론3-1 MOS Capacitor3-2 Oxide 증착법4. 결과 예측4-1 금속 종류에 따른 C-V, I-V 특성4-2 전극 크기에 따른 C-V, I-V 특성5. 실험 장비 및 방법5-1 실험 장비5-2 실험 방법6. 실험 결과6-1 C-V6-2 I-V7. 결론8. 참고 문헌1. 실험 목적MOS capacitor의 Silicon층 위의 Oxide층을 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, Metal의 종류(Au&Ti)와 전극크기를 변수로 두고 C-V특성과 I-V 특성을 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.2. 실

I-V측정도 C-V와 같은 방식으로 2-probe를 이용하여 전압을 -100V에서 100V까지, step은 1로 인가하여 Current를 측정한다.MOS capacitor의 I-V를 측정하는 과정I-V 측정장비④ C-V, I-V 결과데이터 분석Text 파일로 얻어진 C-V, I-V 결과데이터를 그래프로 나타내어 분석한다.5. 결과예측① C-V 결과예측두께에 따른 C-V 그래프 예상C-V 그래프를 보면 두께가 두꺼울수록 capacitance가 작게 측정된 것을 볼 수있다. 이는 앞서 이론에서 언급했던 식 중 capacitance는 유전율에 비

실험목적 (Purpose)MOSFET Structure을 가진 MOS Capacitor를 제작하여 그 제작 공정 과정을 알고 MOS Capacitor의 구동 원리를 이해하며 Oxide층(SiO₂) 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프 변화를 분석해본다.2. 실험변수 (Variables)산화층 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프의 변화를 보기위하여 변수를 3가지 SiO₂ 두께(100nm, 200nm, 300nm)로 설정하였고, 통제 변인으로는 metal을 Ti로 정하였다.3. 이론배경 (Theories)3.1. Si 특성그림1. 초크랄스키법으로 제작된 단

재료 그림 18. I-V Sweep에 대한 최대 전력그림 19. Fill Factor 계산 방법그림 20. 유기 박막 태양전지의 재료에 따른 효율 변화 추이그림 21. low band-gap 고분자들그림 22. fullerene 유도체그림 23. MDMO-PPV:PCBM 태양전지 (a) MDMO-PPV 와 PCBM 구조, (b) 소자 구조 및 용매에 따른 J-V 특성그림 24. 용매 첨가제에 따른 J-V 특성그림 25. 유기태양전지의 광활성층 구조 (A) single-layer PV cell, (B) bi-layer PV cell, (C) disordered bulk heterojunction, (D) ordered bulk-heterojunction그림 26. heterojunct

실험을 진행하도록 한다. 그림 9 멀티미터를 이용한 전기저항 측정5) I-V, C-V 그래프 측정그림 10과 같이 실험장비에 시편의 전극을 연결하여 I-V, C-V 특성을 측정한다. 원하는 전기적 특성이 측정 가능한 장비(I-V: KEITHLEY 2400 Source meter, C-V: Solatron Sl 1260)에 연결 한 후 Lab view 프로그램을 이용하는데 이 때 메뉴설정을 통하여 데이터 측정 방법, 시간, 정확도 등을 설정 할 수 있다. 일반적으로 Up&down 시스템으로는 그래프는 2번 그려져 그 오차를 줄이게 되