[정보시스템개론] 플래쉬메모리

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2004.12.15 / 2019.12.24
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목차: 1. 반도체 메모리
2. FLASH MEMORY 개발 개요
3. FLASH MEMORY의 동작 원리
4. FLASH MEMORY 의 특징
6. Flash memory 의 종류
7. ONE NAND Flash memory
8. 결 론.

본문내용: 2. FLASH MEMORY 개발 개요
미국 Intel이 1971년 일명 FAMOS(Floating gate Avalanche injection MOS)라 불리우는 부유 게이트 구조의 불휘발성 메모리(EPROM)를 처음 발표하였다. 이것은 자외선을 쪼여 축적된 데이터를 소거하는 방식을 취하고 있기 때문에 광 조사를 위한 창이 달린 패키지가 필요하며, 더욱이 사용장소에 따라서는 고쳐쓰기시 소켓을 이용해야 하는 경우가 있는 등 경제성이 문제가 되었다. 이러한 문제점을 해소 하고자 탄생한 것이 전기적으로 소거하는 EPROM 즉, EEPROM이다. EEPROM은 그후 여러방식이 개발되면서 많은 기술적 진전을 이루었으나, 기본적으로 임의의 셀을 소거하기 위해선 선택 트랜지스터를 필요로 하기 때문에 셀 크기를 축소시켜 집적도를 높이는데는 한계가 따랐고 코스트도 높아질 수 밖에 없었다. 따라서 TV의 튜너 등 수백Kbit 이하의 소용량에서만 이용되고 자기메모리에서 사용하는 Mbit 단위의 메모리로서는 사용되지 못하였다. 이처럼 EEPROM의 약점인 집적도의 한계를 해소하기 위해 소거를 일괄적으로 처리함으로써 1개 트랜지스터/1개 셀 구조를 실현한 것이 플래쉬 메모리이다.
플래쉬 메모리란 Flash EEPROM을 가리키며, 전기적으로 데이터를 변경할 수 있는 읽기 전용의 메모리이다. 전기적으로 고쳐쓰기(rewrite)가 가능하다는 점에서는 ROM과 다르며, 데이터를 고쳐쓰기 전에 소거 동작이 필요하고 데이터가 지워지지 않는다는 점에서는 통상의 RAM과도 다른 이른바 RAM과 ROM의 중간에 위치하는 메모리이다. 플래쉬 메모리의 성능은 기억단위인 메모리 셀의 구조와 동작방식에 크게 의존하기 때문에 각종 회로기술이 연구되어 왔는데, 현재는 크게 NOR형과 NAND형이 주류를 이루고 있다.
플래쉬 메모리가 시장에 처음 등장한 것은 1987년으로 그 역사가 매우 짧으며, 초기에는 Intel, AMD 등 미국업체가 거의 장악하였으나, Toshiba를 중심으로 일본기업들이 90년대부터 본격 참여하면서 시장쟁탈전이 가속되었고 우리나라도 삼성전자가 NAND형에 참여하면서 더욱 더 시장쟁탈전이 가속화되고 있다.
플래쉬 메모리는 가장 성장 속도가 빠른 메모리로서 주목을 받고 있지만 아직은 데이터를 써넣는 시간이 RAM에 비해 뒤떨어진다는 단점과 읽고, 쓰기의 제한이 없는 RAM에 비해 십반～백만번 이상의 쓰기를 한 후에는 데이터를 더 이상 쓸 수가 없다는 단점이 있다.

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