접합형 전계효과 트랜지스터와 그 특성 곡선2

이 마지막 결과는 전류의 안정된 값이 되며, 평형상태에 이르게 된다. J-FET의 드레인 특성IDSS는 FET가 정상적으로 동작하는 범위에서 최대 드레인 전류이다.게이트-소스전압이 역바이어스로 증가하면 ID는 감소하고, 마침내 VGS(off)에서 차단된다.전달 특성-전달 특성은 FET의 동작조건을 평가하는데 유용하게 이용된다.VGS가 변화하는 동안 VDS는 일정한 값을 유지하면서 ID를 측정한다.자승법칙 : ID = IDSS(1-(VGS/VGS(off)))2FET를 라디오나 TV의 튜너로 이용

VDS MAX 는 VGS=0 일 때 J-FET가 안정하게 동작되어지는 최대 드레인-소스 전압이다.О VGS = -VP 일 때 드레인전류 차단J-FET의 드레인 특성 곡선J-FET 드레인 특성J-FET 드레인 특성전달 특성■ 전달특성О VDS 는 일정하게 유지하고 VGS의 변화에 대한 ID값 측정 О 점 1 : VGS = 0 , ID = IDSS점 2 : VGS(off) = -2V , ID = 0О 전달곡선 : 자승법칙(Square-law) 곡선О 라디오나 TV 튜너로 이용О 높은 임피던스를 가지므로 게이트에는 전류가 흐르지 않는다.FET의 전달 특성곡선

전압VDD : 드레인 전압원M1 :전류계(VDD가 변할 때 IDS 측정)실험장비 DC Power Supply 2개DMM(Digital MultiMeter) 전류계(0~10mA)TR 2N5484(N Channel J-FET)SPST 스위치 2개2N5484 소자N-Channel RF Amplifier실험과정소스에 대하여 게이트 단자 단락 : VGS = 0: VGG 제거후, 게이트접지. VDD 출력을 조정하여 전류 ID 측정게이트가 역방향 바이어스: 앞 실험에서 제거된 VGG를 추가 후 VDD, VGG를 조정하여 ID 측정전달특성VDD = 15V, VGG = -2.5V로 조정 후VDS = 15V에서 VGS와 ID 를 측정

2) FET의 단점1. FET는 높은 입력 커패시턴스 때문에 나쁜 주파수 특성을 갖는다. 2. 일부 종류의 FET는 나쁜 선형성을 갖는다.3. 정전기에 의해 쉽게 손상을 입을 수 있다.(3) JFET동작과 구조 BJT와 마찬가지로 FET 역시 3단자 소자이다. BJT가 2개의 pn접합을 가지고 있는 것과 달리, 이것 은 기본적으로 게이트와 드레인-소스 채널 사이게 하나의 pn접합을 가지고 있다.그림 1-1에 접합형 FET의 물리적 구조를 나타내었다.그림 1-1(a)의 n 채널 JFET는 n 타입 부분의

그러나 VDS의 어느 시점(VDS=Vp)부터는 공핍층이 거의 맞닿는 pinch off현상이 발생된다(그림12-6). Pinch off가 발생된 후부터는 VDS가 증가하여도 전류가 더 이상 증가하지 않는 포화상태로 되며 이때의 전류를 IDS라 한다.(그림12-7)VGS < 0VGS가 음의 전압일 경우는 VGS=0V일 경우보다 pinch off가 일찍 발생하므로 낮은 포화 전류가 흐르게 된다. 그림 12-7은 N-채널 JFET의 출력 특성곡선이다.(라) JFET의 전달특성(transfer characteristic)FET 회로의 설계 및 해석에는 출력 특성