접합형 전계 효과 트랜지스터와 그 특성 곡선3

그림 12-3의 수도관에 비교하여 설명하면 이해가 쉬울 것이다. 먼저 source는 spigot으로부터 물을 공급하는 역할, gate는 입력신호를 받아 물의 흐름을 조절하는 역할을 하며, drain은 물의 흐름을 받아들이는 역할을 한다. 물론, 물의 흐름은 전자의 흐름, 즉, 전류를 상징한다. N-채널 JFET는 그림12-4와 같은 바이어스상태에서 동작한다. Gate의 전압이 출력전류(drain current)를 제어하므로, gate의 전압(Vgs)을 변화시키며 VDS -ID의 관계를 구하여 특성곡선을 완성할

특성으로 되며, 한쪽 방향 밖에 전류를 흐르지 않은 소자이다. 다이오드의 응용회로에는 교류전류를 직류전류로 변환하는 정류회로가 있다.다이오드에 빛을 비치면 기전력이 생긴다. 이 효과를 이용하여 빛을 전기로 변환하는 다이오드가 있다. 포토다이오드의 구조를 나타내었다. 이것은 반도체의 p,I,n(수정!)의 3영역에서 일어나며 p측에서는 부의 전위, n측에서는 정전위의 역디바이스를 가한다. i는 진성반도체의 영역에서 공필층을 확산하는 역할

그림13-3. 두 종류의 JFET아래 그림은 두종류의 JFET를 나타낸다;앞의 그림에서 화살표 방향은 p-type 반도체에서 n-type 반도체 방향임을 유의하라. 이것은 BJT에서도 그대로 적용되었다.3)Drain CurveBJT에서 두 개의 특성곡선(characteristic curves)가 있는 것처럼 FET(JFET 뿐 아니라 뒤에서 배울 MOSFET)에도 다음과 같은 두 개의 특성곡선이 있다;(1) Drain curve(2) transconductance curve(전달 콘덕턴스 곡선)그림13-4. Drain Curve를 얻기 위한 n-channel JFET회로먼저 Drain curve에 대해

그림13-3. 두 종류의 JFET아래 그림은 두종류의 JFET를 나타낸다;앞의 그림에서 화살표 방향은 p-type 반도체에서 n-type 반도체 방향임을 유의하라. 이것은 BJT에서도 그대로 적용되었다.3)Drain CurveBJT에서 두 개의 특성곡선(characteristic curves)가 있는 것처럼 FET(JFET 뿐 아니라 뒤에서 배울 MOSFET)에도 다음과 같은 두 개의 특성곡선이 있다;(1) Drain curve(2) transconductance curve(전달 콘덕턴스 곡선)그림13-4. Drain Curve를 얻기 위한 n-channel JFET회로먼저 Drain curve에 대해

345678ID (ma)0.810.971.021.051.081.101.121.13실험 결과표VGS=-0.5VVDS(V)12345678ID (ma)0.560.640.670.690.710.720.730.74VGS=-0.75VVDS(V)12345678ID (ma)0.330.360.380.390.400.410.420.43VGS = 0VGS =-0.25VGS =-0.5VGS =-0.75접합 FET 특성 실험접합 FET 특성 실험VGS-0.25-0.5-0.75mho-1.64-1.42-0.98실험 결과표 및 그래프실험 결과 그래프와 전형적인 N채널 FET의 그래프 곡선감사 합니다.접합 FET 특성 실험(1) FET 구조와 동작 1 FET의 종류 ① FET는 접합형과 절연 게