E-Beam 증착법을 이용한 MOS Capacitor 제작 및 성능 평가

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목차
실험 개요
실험 결과
결과 분석 및 고찰
결론
참고 문헌
본문내용
실험 과정

RCA 세정으로 wafer를 세정
E-beam Evaporator로 SiO2증착
Pattern Mask 위로 Ti 증착
C-V, I-V sweep 측정
실험결과 분석 및 고찰
참고문헌
[1] 기초전자공학, 대웅, 권갑현 외 6인 공역, 2000
[2] 반도체소자 공정기술, 청문각, 최성재 역, 2006
[3] CMOS 집적회로설계, 청문각, 대한 전자 공학회, 2004
[4] CMOS VLSI 공학, 신성, 정강민, 2000
[5] Analysis of I-MOS (Impact- Ionization MOS) characteristics using
device simulator, 이화여자대학교 과학기술대학원, 이상경, [2005]
[6] Solid state electronic devices, Ben G. Streetman & Sanjay Kumar
Banerjee, Prentice Hall Series in Solid State Physical Electronics,
sixth edition
[7] ALD 방법으로 형성한 전하 포획 메모리 소자에 관한 연구,
세종대학교 대학원 이한결, 2013
[8] Flexible OLED용 플라스틱 기판의 기체차폐성 향상에 관한 연구
석사학위논문 경희대학교 대학원 이선희, 2010

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