반도체 공학 - 트랜지스터, MOSFET에 관해

반도체 디바이스는 재료가 고가이므로 Si계 device보다 코스트가 높음출력전력18 GHz에서 0.53 W/mm25 GHz에서 이미터 면적당 4mW/μm2결국, device에 대한 이해를 확실히 하여 필요에 따라서 적합한 device를 사용하는 것이 중요한 일이 될 것이다. 특히 HEMT는 고속화와 고주파수를 처리할 수 있는 신소자로서 저전압, 저소비전력 초고속 LSI를 실현하기 위해 많은 연구가 진행되고 있다. ⑶ Devices of HEMT1) 통신용 초고속 반도체 소자 - GaAs 집적회로와 HEMT 통신용 초

반도체 Chip안에 집적화할 수 있게 되었다. 이 점을 활용해 DRAM, Computer, Display 등 많은 분야에서 비약적인 발전을 이루고 있다. 이런 인류의 발전의 시작은 바로 1960년에 미국의 Bell 연구소에서 이루어진 최초의 Ge를 이용한 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)의 발견이다. 이는 이전 트랜지스터에 비해 저렴한 생산비와 기술적 이점을 가졌으며 성능 또한 우수해 전자공학에서 주도적인 역할을 차지하게 되었다. 현재는 Ge oxide의 불안정한 상

반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)을 발명했다. 이는 이전 트랜지스터에 비해 저렴한 생산비와 기술적 이점을 가졌으며 성능 또한 우수해 전자공학에서 주도적인 역할을 차지하게 되었다. 오늘날과 같은 디지털정보사회가 되기까지 마이크로프로세서와 같은 디지털 기술이 성장에 발맞추어 MOSFET기술 또한 빠르게 발전해 왔다. 이러한 MOSFET의 바탕이 되는 MOS를 이용한 cpacitor 즉 MOS capacitor는 유전체로써 oxide를 사용하였기 때문에 붙여진 이름이며 이번

반도체 내에서 공핍층을 제외한 영역은 VDS에 의해 자유 전자가 이동하는 영역.← VDS가 작을 때- VDS가 작으면 채널은 넓어지므로 전자의 이동량, 즉 ID는 VDS에 비례한다← VDS가 클 때- VDS가 커지면 채널은 좁아지므로 전자의 이동량은 제한을 받아 ID는 VDS에 비례해서 증가하지 않고 차차 포화된다.② MOS FET- 게이트가 채널로부터 분리되어 있다.- 절연 게이트 : 게이트 전압이 양(+)이든 음(-)이든 간에 게이트 전류는 거의 흐르지 않는다.1. 공핍형 MOSFET

반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔으로 휘발시켜서 기판에 증착시키는 것이고 조금 더 복잡한 방법으로는 각각의 원료 물질을 cell (effusion cell)에 넣은 다음에 cell의 문을 열고 닫는 것으로 원료물질을 열, 레이저, 전자빔 등을 통해 기체 상태로 날려서 보내고 날아간 원료 물질이 기판에 닿았을 때 고체 상태로 변화된다. 이때 일단 기판에 붙은 물질의 화학