전자 회로실험 - 트랜지스터 특성 실험

실험은 증가형 MOFET의 단자 특성과 바이어싱에 관한 실험이었다.MOSFET는 Metal - Oxide - silicon field - effect transistor(금속 -산화물 - 반도체 전라 접합 트랜지스터)로써, MOSFET는 특히 단일 실리콘에 제조되는 회로인 집적 회로의 설계에 가장 널리 사용되는 전자 소자이다. 실험에서는 VDS를 10V로 고정시키고VGS를 1,2,3,4,5,7,9,11로 가변시켜서 ID를 측정하는 실험과 ID - VDS 특성 측정하는 실험이었다.Orcad결과가 책에 있는 값들과는 다소 차이가 있었다. 조교선생님

됩니다. Vg = 0V일때 Idss가 흐르기 때문에 소스저항을 달면 소스전압이 올라가고 결국 Vgs는 -전압이 걸리는 것입니다 즉 동작점을 0V이하로 만들고 싶다면 소스에 저항을 붙여주면 되는 것이죠. 여기서 발생하는 부작용으로는 이득이 감소하게 되는데, 그에 대한 대책은 소스저항과 병렬로 콘덴서를 달아주면 교류적인 이득은 보상을 시킬 수 있습니다.BJT와 JFET의 비교3. JFET 공통 소스 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과회로도 ) 시뮬레이션 결과 )

실험5(RLC 직렬 연결 흐름길의 교류 특성 조사) f omega `=` 2 `pi` times` f들이저항 XL들이저항 XC온저항Z 위상 차이theta L = omega t위상 차이theta C =omega t30 Hz188.5 rad754 Omega1178.9Omega1086.5Omega2.82rad0.18radf omega `=` 2 `pi` times` f들이저항 XL들이저항 XC온저항Z 위상 차이theta L = omega t위상 차이theta C =omega t25 Hz157.1 rad628.4Omega1414.5Omega1272.0Omega2.8rad0.47rad5. Discussion▶ 이 실험은 R,L,C 소자의 직류적 특성과 교류적인 특성을 조사하는 실험으로 RC 회로,

특성에서 C max값이 더 크게 나타날 것으로 예상된다.전극크기가 변함에 따라 전류의 크기에 영향을 주는 요소가 없기 때문에 전극크기를 변수로 두고는 I-V특성에 변화가 없을 것으로 예상된다.그림 4.2.1 C-V Characteristics5. 실험 장비 및 방법5-1 실험 장비(1) E-beam evaporatorE-beam의 구조 및 증착원리PVD(Physical vapor deposition)의 한 방법으로 전자빔을 이용하여 박막을 형성하는 것이 E-Beam Evaporator이다. 아래 그림은 E-beam장치의 구조도이다. 장치안의 필라멘

전기회로 및 실습예비보고서실험제목 : 트랜지스터의 동작 특성2. 실험목적 : 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 파악하고, 실습을 통하여 트랜지스터 입력 및 출력 특성을 이해한다.3. 실험도구 : 직류 전원 공급 장치, 멀티미터, 트랜지스터, 저항, 가변저항, 건전지, 접속선 4. 실험이론 ⓵ 트랜지스터* P형반도체 : 14족 원소 실리콘 등에 인(P) 등의 13족 불순물을 첨가한 것으로 결합시 전자가 부족해 정공을 가지고 있게 된다.* N형반도체 : 14족 원소