기초 전자회로 실험

회로 구성 시 요구되는 부품이 매우 적다는 장점을 가지고 있다.※ 전자회로 실험 P.60 그림 8-1 (바이폴라 트랜지스터에 대한 바이어스 형태)3. 공식∎베이스 바이어스(1) I B = V CC -V BE over R B(2) I C = beta dc I B(3) V CE =V CC -I C R C =V CC - beta dc I B R C∎에미터 바이어스(1) I E = V E -V EE over R E만약, V EE >> V BE 이면, I E CONG V EE over R E(2) I C CONG I E `,`V E CONG -V BE(3) V C =V CC -I C R C(4)

회로로 예를 들면, 일반적인 스위치는 그냥 손가락으로 스위치를 누르면 LED가 켜진다. 트랜지스터는 베이스(B)에 0.6~0.7V 이상의 전압을 가해주면 LED가 켜진다.⚫ 트랜지스터의 이상적인 스위칭 작용※ 전자회로실험 P.52 그림 7-1⚫ 차단 (CutOFF)∎ B-E 접합 : 역바이어스∎ E-C 사이 : 개방∎ 모든 전류는 거의 0⚫ 포화 (SaturatiON)∎ B-E 접합 : 순바이어스(IB는 IC가 포화값에 도달할 정도로 매우 큼)∎ E-C 사이 : 단락∎ 트랜지스터가 포화를 유지하기 위해

회로로 예를 들면, 일반적인 스위치는 그냥 손가락으로 스위치를 누르면 LED가 켜진다. 트랜지스터는 베이스(B)에 0.6~0.7V 이상의 전압을 가해주면 LED가 켜진다.⚫ 트랜지스터의 이상적인 스위칭 작용※ 전자회로실험 P.52 그림 7-1⚫ 차단 (CutOFF)∎ B-E 접합 : 역바이어스∎ E-C 사이 : 개방∎ 모든 전류는 거의 0⚫ 포화 (SaturatiON)∎ B-E 접합 : 순바이어스(IB는 IC가 포화값에 도달할 정도로 매우 큼)∎ E-C 사이 : 단락∎ 트랜지스터가 포화를 유지하기 위해

기초전자회로실험 - 다이오드의 특성내 용내 용내 용내 용내 용내 용내 용1. 목적- 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고 , 비교하고, 그리고 측정한다.2. 실험장비1) 계측기-DMM2) 부품-저항 (1) 1㏀(2) 1㏁-다이오드(1) Si(2) Ge-전원직류전원 -기판브레드보드3. 이론- 다이오드의 동작 상태를 파악하기 위해서 대부분의 디지털 멀티미터를 사용할 수 있다. 순방향과 역방향 바이어스 영역에서 다이오드의 상태를 파악할 수 있는

기초전자공학실험 예비 Report제목직렬 및 병렬 다이오드 구조실험 목적직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고 측정한다.실험 장비1. 다이오드(Diode)2. 저항(Resistance)3. 브레드보드(Breadboard)4. 디지털 멀티 미터(DMM)5. 직류전원이론1. 직렬회로저항을 직렬로 연결한 회로에서는 전류가 흐르는 길이 하나이므로 회로 상에 흐르는 전류는 일정하다. ( I 값 일정)I = I1 = I2 하지만, 각 저항 당 걸