마이크로나노공학-.MEMS 및 ICS에 사용되는 식각공정 분류와Low-pressure CVD(LPCVD), Plasma-Enhanced CVD(PECVD)의 원리
목차
1.MEMS 및 ICS에 사용되는 식각공정을 분류하고 이에 대하여 장단점과 특성을 아는바 대로 기술하시오
1.가스식각
2.스퍼터링 효과에 의한 물리적 식각
3.RIE 식각
2.Low-pressure CVD(LPCVD)와 Plasma-Enhanced CVD(PECVD)의 원리를 설명하시오
정도로 상당히 느리다.증착 온도에서 열분해 반응이 발생해서는 안되므로 반응 원료의 제약이 많은 단점이 있다.CVD 보다 저온 공정이므로 CVD에 비해 불순물이 함유될 가능성이 높다. Referencehttp://icm.re.kr/board/skin/default/index.jsp?id=1107&tablename=forumematerial&sn=&ss=on&sc=onhttp://bionano.hanyang.ac.kr/new/sub2/profile24.php http://www.taegutec.co.kr/Section.asp?CountryID=2&MenuItemID1=7&SectionID=69 http://www.srckr.com/bbs/zboard.php?id=data http://www.seongwooinst.com/data/thin-film-intro.pdf
및 압력으로 막을 식각 ③식각이 완료된 wafer를 Post Cleaner에서 이물질을 제거Main Polisher Post Cleaner 6.공정개요: CMP이온주입ETCHPHOTODIFFCVD1.산화 공정2.ANNEAL 공정일정한 열을 가하여 장비내부로 유입된 H2O와 Wafer의 Si을결합시켜 SiO2막을 형성시키는공정3.LPCVD 공정특정한 목적을 위하여 N2 분위기에서 Wafer에 열을 가하는 공정: 확산, 평탄화 등의 목적을 으로실시함.확산를 위한 Anneal불순물 →Si wafer: Si(Wafer) + H2O → SiO2Si WaferSiO2H2OHEAT성장PU
및 제조 공정은 매우 중요한 과제라 하겠다. Poly-Si TFT 패널 제조 기술의 어려움은 최근 SID 학회에서 발표된“OLED의 성장과 시장은 poly-Si TFT 패널이 얼마나 싸게 안정적으로 제조될 수 있느냐에 달려있다”는 Display Search사의 전망에서도 잘 이해될 수 있다. 3) Poly-Si 결정화를 위한 방법과 장단점▲ Low Temperature Poly-Si 제조 공정실리콘을 직접 증착하는 방법(PECVD, RPCVD, ECR-CVD, ICP-CVD)비정질 실리콘을 증착하는 조건에서 반응가스의 비율을 변화시키고 플
공정하면 가스를 방해하는 요소가 줄어들어 더 빠른 속도로 박막을 만들 수 있다. 불순물이 들어갈 확률도 낮아진다.IC(집적회로) 등의 제조공정에서 기판 위에 실리콘 등의 박막을 만드는 데 주로 사용되고 실리콘 산화막, 실리콘 질소막, Amorphous 실리콘 박막 등을 만드는데 쓰인다. APCVD, LPCVD, ACVD, PECVD 등이 있다.CVD process의 종류종류설명반응 에너지원Thermal CVD반응기에 주입된 반응기체의 분해 및 박막 증착 시 열 에너지를 이용하는 CVD방법(0.1~1to
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