[반도체] PECVD 공정 및 장비

화학기상 증착CVD(Chemical Vapor Deposition)반응공학 Ⅰ. 목 차1. 서 론1) 박막 증착이란?2. 본 론1) CVD의 필요성과 원리 2) CVD종류와 특징 ➀ APCVD➁ LPCVD(➂ PECVD(Plasma Enhanced CVD)➃ ALD➄ OVPD(Organic Vapor Phase Deposition)3) CVD 장비의 시장 경향 3. 결 론Ⅱ. 서 론반도체 공정에서의 박막증착공정의 중요성과 박막의 조건반도체 공업은 현재의 전자 및 정보화 사회를 주도하고 있는 공업으로서 1960년대 집적회로(Integrated Circuit)가 개발된 이래 계속적으로 비약적

공정을 말한다. 후공정은 가공된 웨이퍼를 개별칩 단위로 절단하여 밀봉하는 과정인 패키징공정과, 가공된 웨이퍼 및 칩이 정해진 기준에 부합하는 지를 판정하기 위한 공정인 테스트 공정으로 나누어진다. 그리고 측정분석공정은 반도체 제조공정 과정에서 오류를 최소한으로 하기 위하여 주기적으로 공정의 정확도를 측정하고, 오류가 발생하면 그 원인을 분석하는 공정을 가리킨다. 이러한 반도체 제조공정 과정에는 반도체장비와 소재 그리고 패

반도체실험실에서는 실험한 결과 위와 Ni 기판에서 증착하는 것이 위의 미세사진과 유사한 결과가 도출되었다. 그 결과는 아래와 같다.Si (100) Ni (111) Ni (111) / tilt75℃5. 결 론기판을 Si 기판과 SiO2 기판을 사용하였을 때는 표면의 미세구조는 유사한 결과를 가졌다. 또한 Ar gas를 이용하였을 때와 Ar/H2 gas를 이용하였을 때도 마찬가지로 미세표면사진에는 큰 차이점을 보이지 않았다. 하지만 Ni 기판을 사용하였을 때 가장 좋은 결과를 얻을 수 있었다. 하지

공정, 이온주입 및 활성화 공정 등이 추가되어 공정비용 증가- 공정의 균일성, 안정성 등이 문제③고온폴리 실리콘 TFT LCD- 기존의 반도체 웨이퍼를 이용한 공정을 그대로 도입할 수 있기 때문에 TFT 소자의 특성이 양호 하면서도 안정되어 있다.- 결정성이 양호한 poly-si 제작 가능- 계면 특성이 좋으면서 절연 특성이 안정한 Gate Oxide 제작 가능- 1000℃ 고온 견디기 위해 비싼 Quartz기판 사용해야 하는 단점- 고온폴리 실리콘은 거쳐야 할 많은 단계가 있

및 압력으로 막을 식각 ③식각이 완료된 wafer를 Post Cleaner에서 이물질을 제거Main Polisher Post Cleaner 6.공정개요: CMP이온주입ETCHPHOTODIFFCVD1.산화 공정2.ANNEAL 공정일정한 열을 가하여 장비내부로 유입된 H2O와 Wafer의 Si을결합시켜 SiO2막을 형성시키는공정3.LPCVD 공정특정한 목적을 위하여 N2 분위기에서 Wafer에 열을 가하는 공정: 확산, 평탄화 등의 목적을 으로실시함.확산를 위한 Anneal불순물 →Si wafer: Si(Wafer) + H2O → SiO2Si WaferSiO2H2OHEAT성장PU