반도체공정의 이해

아드반테스트코리아의 지원한 직무분야에 지원한 동기에 대하여 기술해 주시기 바랍니다.반도체를 완성시키는 Test Program회로 설계, 소자, 공정 등 11개의 반도체 관련 과목을 수강했고 모두 A 이상의 성적을 취득하며 반도체에 대한 이해를 길렀습니다. 또한 서울대 반도체 공정교육을 이수하며 실제 Fab에서 실습하는 과정에서 반도체 전공정에 대해 심화적으로 이해했습니다. 이러한 공정들을 거쳐 나온 웨이퍼의 완성도를 최종적으로 평가하는 테

이해하고, Metal층과 Oxide층, 공정과정의 종류를 변수로 놓고, 각 device별로 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 Capacitance와 Current에 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다. 2. 실험이론① MOS Capacitor(a) MOS Capacitor의 구조 MOS capacitor의 구조MOS는 Metal-Oxide-Semiconductor의 약자로, 금속 층과 반도체 물질로 되어 있는 두 개의 전극 사이에 절연체 역할을 하는 산화막이 들어있는 구조이다. 이러한 반도체 물질로, 원소 주기율표 4족에 속해있는 실리콘(Si), 게

반도체 공학/반도체의 에너지 밴드 이론을 바탕으로, pn 접합의 원리와 MOS Capacitor, FET와 IC회로의 원리를 이해하였습니다./B+- 전자재료실험/박막 증착과 그 측정을 실습해 보았으며, 직접 MOSFET 소자를 제작하는 경험을 가졌습니다./B+- 반도체 공정 실습/반도체 8대 공정을 학습하고, 직접 LED 소자를 만들고, 그 전기적 특성을 측정해보는 실습을 진행하고 있습니다.- 반도체 소자 이론/밴드 이론과 pn 접합의 개념을 바탕으로 Laser Diode, TFT/LCD의 구동 원리

Final Report(Experiment 1 Dry 식각)Purpose of experiment반도체 공정 과정 중 dry 식각에 관하여 조사를 하며 그 중에 플라즈마 원리 이해에 중점을 준다. 그리고 RF 전력과 식각률의 변화를 예측하고 본 실험에서 직접 광학현미경으로 측정하여 알아본다.Experimental method⓵Photolithography 공정 후의 웨이퍼를 준비한다.⓶웨이퍼를 유도결합 플라즈마(ICP) 장비의 chamber에 넣고 내부압력을 10^-3Torr이하로 조절한다.⓷플라즈마 가스를 주입한 후 RF 전력을 100W로 1분간

Nanosphere Process & Technology LaboratoryDepartment of Chemical Engineering, Yonsei University, 134,Sinchon-dong, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Korea웨이퍼 세정 기술반도체 공정 및 재료contents3. 세정 공정의 개요2. 오염과 세정의 목적4. 건식 세정5. 결론1. 반도체 제조 공정과 웨이퍼습식 세정 기술, 습식 세정의 한계초임계 이산화탄소를 이용한 건식 세정 기술향후의 전망오염및세정분류, 목적이해공정과 웨이퍼 이해Nanosphere Process & Technology LaboratoryNanostructured Material 반도체