[전자재료실험] MOS Capacitor의 C-V와 I-V 측정

실험 목적MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다. 2. 실험 배경1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)을 발명했다. 이는 이전 트랜지스터에 비해 저렴한 생산비와 기술적 이점을 가졌으며 성능 또한 우수해 전자공학에서 주도적인 역할을 차지하게 되었다. 오늘날

목 차실험 배경실험 목적실험 장비시편 제작에 사용한 장비PECVDThermal evaporator측정에 사용한 장비Probe station실험 과정시편 제작측정결과 예측I-V curve 결과 예측C-V curve 결과 예측실험 결과결과 분석References실험 배경MOS 커패시터는 이름 그대로 전도판과 반도체판 사이에 절연체가 있는 형태의 구조물이다. 이 capacitor에 전압이 주어지게 되면, 두 가지 경우가 생기게 된다. 전도판에는 아무 상관 없이 항상 전도전자가 이동을 하지만, 반도체

1. 실험목적2. 실험이론① MOS capacitor② 증착방법의 원리와 종류(a) 증착 방식(b) 증착 방법(c) Photolithograhy3. 실험과정 4. 변수 및 결과① 실험 변수② 실험 결과5. 결과분석① 1조 결과분석② 1조, 2조 결과 비교분석③ 1조, 3조 결과 비교분석6. 결론7. 참고문헌1. 실험목적MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, Metal층과 Oxide층, 공정과정의 종류를 변수로 놓고, 각 device별로 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 Capacitance와 Current에 어떤

< 목 차 >1. 실험 목적 2. 실험 배경3. 실험 이론3-1 MOS Capacitor3-2 Oxide 증착법4. 결과 예측4-1 금속 종류에 따른 C-V, I-V 특성4-2 전극 크기에 따른 C-V, I-V 특성5. 실험 장비 및 방법5-1 실험 장비5-2 실험 방법6. 실험 결과6-1 C-V6-2 I-V7. 결론8. 참고 문헌1. 실험 목적MOS capacitor의 Silicon층 위의 Oxide층을 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, Metal의 종류(Au&Ti)와 전극크기를 변수로 두고 C-V특성과 I-V 특성을 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에

전자재료실험결과보고서열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석* SiO2 300nm, 열처리 시간 - 0분 5분 10분 Advanced Material Science ＆ Engineering1. 실험목적MOS Capacitor를 직접 제작하며 공정을 이해하고, Dielectric 재료와 열처리 시간 변수에 따른 MOS Capacitor의 특성 및 구동원리를 이해한다.2. 실험배경인류는 집적회로(Integrated circuit; IC)의 개발로 많은 수의 Transistor, Capacitor등이 한 개의 반도체 Chip안에 집적화할 수 있게 되었다. 이 점을 활용해 DRAM, Computer, Display 등