[반도체] Photoresist(PR)

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2010.04.26 / 2019.12.24
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목차: 1. Introduction
1-1. History
1-2. Development
2. Photoresist (PR)
2-1. PR 의 주요성분과 기능
2-2. Two type – Negative, Positive
2-3. PR의 주요 매개변수
3. Photoresist Chemistry
3-1. Negative PR의 특징
3-2. Positive PR의 특징
3-3. PR의 기능에 영향을 주는 인자
3-4. Negative PR vs Positive PR
3-5. PR의 보관 및 취급
4. Photolithography Process
5. References

본문내용: Polymer
- Phenol-Formaldehyde(혹은 Phenol-Formaldehyde Novalak Resin)
고분자 화합물 사용.
- Photosolubilization(광분해반응) : 빛에 노출되면 Resin이 불용성에서
용해성으로 변함. Phenol-Formaldehyde에서 Carbolic Acid로 바뀜.

Sensitizer
- Resist의 노광 메커니즘과는 무관.
- 광분해로 인해서 용제에만 녹는 부산물이 만들어지면
이를 다시 물에 용해되도록 변화시킴.
- Polymer : Sensitizer = 4 : 1

Solvent
- Ethoxyethyl Acetate 와 2-Methoxyethyl Acetate
- 건조와 응용 특성을 위해 Xylene나 Butyl Acetate를 섞음.

200~500nm의 파장을 갖는 빛 흡수
-> 노란색, 오렌지색, 붉은색의 가시광선 영역에서는 반응하지
않아 이 영역의 빛 속에서 공정 작업 가능.

기본 합성물질로는 Novolak, Resole, 페놀수지 등이 있으나 Novolak이 가장 널리 사용됨.

Novolak은 물이나 알칼리 용액에 잘 녹는 물질(약150Å/sec)이지만, sensitizer로 사용되는 DQ(diazoquinone or diazonaphthaquinone)을 약 15%만 섞어도 DQ가 Novolak에 용해 억제 작용을 하여 거의 녹지 않는 성질을 갖게 한다.(10~20Å/sec)

<1> Resolution(분해도)
- Resolution Capability(분해능)
: PR에서 구현할 수 있는 가장 작은 구멍이나 면적.
어떤 두께에 대한 가장 작은 면 혹은 패턴폭.
Resist의 Aspect Ratio로 표현.

<2> Adhesion(점착성)

<3> 노출속도
- PR이 노출에 반응하는 속도

<4> Pinhole 개수
- PR층의 핀홀개수는 레지스트 자체, 스핀상태, 청결도 등의 몇몇 요인의 함수

<5> 공정상태

<6> Step Coverage

참고문헌: 황호정 저, 반도체 공정기술, 생능출판사, 1999.
편집부 엮음, 반도체(공정 및 측정), 전자자료사, 1994.
Harry J. Levinson, Principles of Lithography, SPIE PRESS, 2001.
김진백, Photoresist, Polymer Science and Technology, 1990.
김재현, 김덕배, 반도체 초미세 공정화와 F2(157 nm) 포토레지스트용 고분자의 개발 동향, Polymer Science and Technology, 2003.
http://www.casetechnology.com/implanter/implanter.html
http://www.micron.com/content.jsp?catID=-8178&edID=16482
http://www.casetechnology.com/links.html

자료평가

와우 이곳에서 이런 좋은 정보를 얻다니요,,공부 만땅 열심히 해야겠어요~^^
animu***
(2011.05.30 20:03:24)

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