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[화학공학실험] 유기물을 이용한 MICRO-SCALE PATTERN 제작실험
PR)- 감광성 수지. - 구성 성분 : Polymer, Solvent, Sensitizer- 현상되는 형태 : 양성(Positive), 음성(Negative) ∨ Positive : 빛에 노광된 부분이 Developer에 의해 제거 ∨ Negative : 빛에 노광되지 않은 부분이 제거- 미세 Pattern을 얻기 위해서는 막이 얇고 균일하고, Pin Hole이 없고 밀착성이 좋으며 내선성이 좋고 자외
24페이지 | 1,800원 | 2009.08.27
PRCVD Reactor : Horizontal–flow reactor전극보호를 위해 CVD를 이용, 산화막층을 형성해준다.Step4Base metal depositon ProcessAuBeElectron-Beam Deposition정공확산측 전극층 형성Step5Barrier metal deposition processㅡPd/TiElectron-Beam DepositionGa이 Wire Bonding이 되는 표층 Metal로 확산되어 올라오는 것을방지하기 위함Step6Au depos
12페이지 | 1,400원 | 2009.08.18
PR 식각)은 exposure에 의해서 변화된 resist의 soluble region을 용해시키기 위해서 liquid chemical developer로 사용된다. PR 식각의 가장 주된 목표는 resist 물질 안에 있는 reticle pattern 들을 정확하게 반복해서 식각하는 것이다.만약 식각과정이 적절히 조절되지 못한다면 resist patterning 문제가 발생될 것이다. 이 들
11페이지 | 1,400원 | 2009.04.24
Pr가 10 nC/cm2이상인 새로운 강유전성 고분자 재료개발이 필요하다. 전극과 유기물질과의 접촉 특성을 향상시키기 위해 LiF, Au, Pt 등의 신전극 재료개발도 필요하다. 둘째로 소자구조 및 공정 측면에서 해결해야 할 과제는 최적 IR 소자구조 및 다중비트PoRAM 소자구조 개발이 필요하고 O2 Plasma 나노 dot 제조
37페이지 | 1,200원 | 2008.04.03
[반도체] 반도체환경기술의 국내외 최근동향 및 향후 기술개발방향
PR)를 이용한 Lithography 기술도 Solvent를 사용하지 않는 차세대 Lithography기술로 전환됨에 따라 이에 대한 연구가 필요하다. 유전상수(dielectric constant) k값이 2이하인 절연체를 개발을 하면서 Photo-imagible Dielectric Material이 개발되면 Lithography 공정을 6 단계에서 3 단계로 줄일 수 있고 아울러 사용되는 많은 양의
12페이지 | 1,000원 | 2008.03.21
PR에 의하여 형성된 Pattern대로 박막을 선택적 제거함으로써 실제의 박막 Pattern을 구현하는 방법Pattern이 형성된 부분의 박막은 남게 되고 PR이 없는 부분의 박막은 제거된다식각의 종류습식식각(Wet Etching)건식식각(Dry Etching)습식 식각(Wet Etching)식각 용액(액체)에 웨이퍼를 넣어 액체-고체화학반응에
29페이지 | 1,700원 | 2007.10.28
PR spin coatingSoft BakeExposure Development Hard BakePR spin coating목적 : 웨이퍼 전체에 필요한 두께의 감광제 박막을 일정하게 형성영향을 주는 요인점성계수, 다중체 함량, 최종스핀속도와 가속점성계수-감광제 박막의 두께를 결정하는 척도다중체 함량-감광제에 있는 다중체의 양을 의미함 즉 최후의 막
64페이지 | 8,000원 | 2006.10.10
[나노기술] 리소그래피의 종류와 문제점 및 해결 방안 -Nano Imprint Lithography
PR(photoresist)을 감광기킴으로써 기판위에 원하는 패턴을 형성하는 방식이다. 이러한 전자 빔 리소그래피 기술을 이미 많이 상용화되어 광 리소그래피에 이용되는 마스크를 제작하거나 고성능의 소자를 제작하기 위한 초미세 패턴을 형성하기 위해 이용되어 왔다. 기술적으로는 전자 빔 리소그래피의
28페이지 | 2,100원 | 2006.09.25
PR coating이라 함은 분사된(dispense) liquid(액상) PR을 높은 회전수로 회전시켜 균일한 얇은 막의 형태로 기판 전체를 도포시킨 후 일정온도에서 baking하여 PR의 용제(solvent)를 기화제거시켜 단단하게 만드는 과정을 말한다. PR(photo resist)이란 특정 파장대의 빛을 받으면(노광:photo exposure) 반응을 하는 일종의
63페이지 | 2,800원 | 2006.09.25
■ 사진식각법(Photolithography) ■1) Photoresist coat(PR 코팅)PR coating이라 함은 분사된(dispense) liquid(액상) PR을 높은 회전수로 회전시켜 균일한 얇은 막의 형태로 기판 전체를 도포시킨 후 일정온도에서 baking하여 PR의 용제(solvent)를 기화제거시켜 단단하게 만드는 과정을 말한다.PR(photo resist)이란 특정 파장
5페이지 | 500원 | 2005.12.06