레포트 (41)
[기계공학] Microfludics(미세유체공학) 특화설계
PR)을 얇게 코팅한 후 원하는 마스크 패턴을 올려놓고 빛을 가하여 사진을 찍는 것과 같은 방법.포토 리소그래피 기술가 병행하여 쓰이고 있음.5. Soft Lithography PR (Photoresist) : 빛 또는 방사, 열 등의 여러 형태의 에너지에 노출 되었을 때 내부구조가 바뀌는 특성을 가진 액상 혼합물양성 PR : 빛을 받으
30페이지 | 2,100원 | 2011.09.09
[반도체공정] 미래 리소그래피(lithography) 동향(영문)
PR) (>300nm), patterns will be destroyed because of the increased aspect ratio.On this account, if the coating thickness is thinner, it will not be enough as a mast for substrate in process of etches and you will not be able to deep pattern, as it is required by process of semiconductor. In addition, a tolerance of PR for ArF (193mm) is weaker to etch than PR for KrF(248nm), which involves an ex
13페이지 | 1,400원 | 2011.06.08
PR막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진 찍는 공정이다.라. 현상 (Development): 일반 사진 현상과 동일하다. 현상액을 웨이퍼에 뿌리면 웨이퍼는 노광 과정에서 빛을 받은 부분과 받지 않은 부분으로 구분되는데, 빛을 받은 부분의 현상액은 날아가고 빛을 받지 않은 부분은 그대로 남는다.그림 15마.
55페이지 | 3,000원 | 2011.03.15
[자연과학] 박막트랜지스터(TFT) 공정 설계 및 특성 평가
PR(photo resist)를 형성하고 500/50 um 비율로 마스크를 웨이퍼에 대고 노광을 해서 음각으로 PR층을 제거하여 패턴을 형성한다.Magnetron sputter 장치를 이용해 시편에 Al을 증착한 후에 패턴 형성부를 제외한 나머지 부분에 존재하는 PR층 및 Al 층을 제거한다.SPA를 사용하여 열처리 전의 ID-VD, ID-VG, Mobility를 측정
5페이지 | 800원 | 2011.01.18
PR) 도포 이 과정이 끝나면 photoresist(PR)를 roll coater 또는 spin coater를 사용하여 ITO 전면에 균일하게 도포 한다. 이 때 사용되는 PR의 두께는 설계된 소자특성에 따라 다르나 어떠한 경우에도 ITO glass 전면에 형성된 박막의 두께 균일도를 5%이하로 유지하여야 한다. PR의 도포에 영향을 미치는 주요 요소로는
34페이지 | 2,800원 | 2011.01.18
[고체화학] OLED(Organic Light Emitting Device) 유기 EL
PR) 도포 이 과정이 끝나면 photoresist(PR)를 roll coater 또는 spin coater를 사용하여 ITO 전면에 균일하게 도포 한다. 이 때 사용되는 PR의 두께는 설계된 소자특성에 따라 다르나 어떠한 경우에도 ITO glass 전면에 형성된 박막의 두께 균일도를 5%이하로 유지하여야 한다. PR의 도포에 영향을 미치는 주요 요소로는
53페이지 | 2,800원 | 2010.10.01
Light Emitting Diode(LED) Process Design
PR막을 형성하고 Soft-bake공정으로 PR내의 약 80~90%의 solvent를 증발시킨다.Photoresist : PMMA(Positive PR)- Poly(methyl methacrylate) (PMMA)은 보통 ‘아크릴 수지’라고 부르며, 1930년 내에 연구개발 되어 공업화가 시작되었다. 현존하는 수지 중 가장 오래된 역사를 가진 수지의 일종으로 가장 투명하고, 내구성이 좋다.
17페이지 | 1,400원 | 2010.06.29
Photoresist (PR)반도체 재료 및 공정Contents1. Introduction1-1. History1-2. Development2. Photoresist (PR)2-1. PR 의 주요성분과 기능2-2. Two type – Negative, Positive2-3. PR의 주요 매개변수3. Photoresist Chemistry3-1. Negative PR의 특징3-2. Positive PR의 특징3-3. PR의 기능에 영향을 주는 인자3-4. Negative PR vs Positive PR3-5. PR의 보관
23페이지 | 2,100원 | 2010.04.26
PR) 도포 - 현상(Development) - 에칭공정 - Stripping 공정 ③ 절연층 (Insulating Layer) 패턴 ④ 음극분리 격벽(Cathode Separator) 패턴 - 음극분리 격벽의 패턴 공정 -- 절연층 형성을 위한 노광 공정 -4) 정공박막증착공정① 패턴된 기판의 전처리 : - 평행평판형 방전을 이용한 ITO 표면산화법- 진공상태에서 UV 자
15페이지 | 1,400원 | 2010.01.27
[화학공학실험] 유기물을 이용한 MICRO-SCALE PATTERN 제작실험
PR)- 감광성 수지. - 구성 성분 : Polymer, Solvent, Sensitizer- 현상되는 형태 : 양성(Positive), 음성(Negative) ∨ Positive : 빛에 노광된 부분이 Developer에 의해 제거 ∨ Negative : 빛에 노광되지 않은 부분이 제거- 미세 Pattern을 얻기 위해서는 막이 얇고 균일하고, Pin Hole이 없고 밀착성이 좋으며 내선성이 좋고 자외
24페이지 | 1,800원 | 2010.01.15