레포트 (41)
[자연과학] 나노 바이오멤스 - Lithography 공정
PR)는 감광성 고분자로써 양성(positive) PR과 음성(negative) PR로 나뉩니다. 양상PR은 빛을 받은 부분만 흐물흐물해져서 쉽게 지워지는 성질을 갖고 음성PR은 반대로 빛을 받은 부분만 더 딱딱해지는 성질을 나타냅니다. 각각의 특성에 맞는 PR을 실리콘 기판위에 입힙니다. 2. 그 위에 패터닝 할 모양의 마
5페이지 | 1,200원 | 2014.03.26
포토리소[photolithography] - 가공방법 및 적용분야에 대해서
PR사용량 1/10Fig. 4 CoaterEUVL Symposium, J. Yeo (2009).2.1 Silicon with Oxide Layer - Coater72.2 Expose Photoresist8Fig. 5 ScanerHankook Industry co., LTD2.2 Expose Photoresist - Scaner92.3 Develop Photoresist10Fig. 6 StepperHarry J. Levinson, Principles of Lithography, 2nd ed. (2004).2.3 Develop Photoresist - Stepper11Fig. 7 Water immersionEUV Symposium, Rard de Leeuw (2010
17페이지 | 1,800원 | 2013.12.23
반도체 공정 - ellipsometer[엘립소미트리]에 대해서
PR, 기판, 반사방지막 등등)Ellipsometer의 응용분야는 보통 알고 있는 두께 측정이라든지 광학적 성질 측정 이외에도 무수히 많다. 우선 다른 측정장비와의 차이점을 쉽게 설명하기 위해 그림1을 보자. 예들 들어 전자현미경이나 XRD(X-ray diffraction) 등으로 측정할 수 있는 것을 생각해 보면 표면구조나 결
3페이지 | 1,000원 | 2013.12.23
PR, 기판, 반사방지막 등등)Ellipsometer의 응용분야는 보통 알고 있는 두께 측정이라든지 광학적 성질 측정 이외에도 무수히 많다. 우선 다른 측정장비와의 차이점을 쉽게 설명하기 위해 그림1을 보자. 예들 들어 전자현미경이나 XRD(X-ray diffraction) 등으로 측정할 수 있는 것을 생각해 보면 표면구조나 결
3페이지 | 1,000원 | 2013.12.23
PR도포, 노광, 현상, 식각, PR박리, 검사, 증착1) 세정공정 : 개개의 공정 전후의 결과 및 이상여부를 확인하기 위한 검사와 청정도를 유지하기 위한 공정. 초기 투입이나 공정 중에 기판이나 막 표면의 오염, particle을 제거하여 불량이 발생하지 않도록 하는 공정이다. 또한 다음 단계에서 증착 될 박막의
24페이지 | 2,500원 | 2013.11.22
PR를 제거할 때 슬릿부분은 약 25%정도 PR이 남게하는 것이다.슬릿을 통해 자외선에 노출된 부분의 PR은 슬릿이 없는 다른 부분에 비해 그 강도에 있어 차이가 있기 때문에 같은 시간동안 현상을 하게 되면 슬릿이 있는 부분은 다른 부분에 비해 25%정도의 PR이 남게된다.남아 있는 PR은 식각과정에서 에칭
35페이지 | 2,500원 | 2013.11.22
PR)로 코팅하여 전사하였다. PR은 1E+12~1E+13 /cm2에 이르는 정공을 도핑하는 역할을 하게 된다. 구리 포일이 에칭된후 fused-quartz은 낮은 고주파 손실을 갖기 때문에 기판으로 선택되어 그 위에 전사되었다. 전극은 Ti/Au (10/400 nm)로 이루어져 일반 포토-리소그래피와 lift-off 과정을 통해 공정되었다. vander Pauw
32페이지 | 2,500원 | 2012.07.10
마이크로나노공학LIGA공정과양성PR과 음성PR의화학식,구조식 작동원리
PR과 음성 PR의 화학식, 구조식 작동원리에 대해 설명하라 1.Photolithography란? Photolithography 공정은 어떤 특정한 화학약품(Photo resist)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜서 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 얻고자 하는 pattern의 mask를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 mask의 pattern과 동일한 patt
5페이지 | 1,500원 | 2012.06.24
PR for KrF.As the main research to decrease LWR value, there is Main-Chain Scission Resist method that The part exposed to EUV within main chain of polymer(PR) is washed out by using developer. the exposed part is washed by the developer because main chains of polymer are cut by the acid. As a result, it lead to decrease LWR. The current limitation of resolution is that resist limit is 28-30nm a
11페이지 | 900원 | 2012.03.19
[화학공학] Micro-Scale Patterns(영문)
PR)Introduction & Background2Micro ChannelPassage - for Transfer of a SampleExtend Migration Length Introduction & Background2Spin coatera procedure used to apply uniform thin films to flat substrates. rotate at high speed in order to spread the fluid by centrifugal force.UV exposurethe emulsion on the plate will appear a unseen imagine.Heat plateThis facilitates the transfer of hea
20페이지 | 1,600원 | 2012.03.13