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실험: Photo Lithography1. 실험 목적MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여 PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은 90sec로 고정하며 Exposure time
3페이지 | 800원 | 2015.02.23
Polymer Substrate for Flexible TFT
PR2. Expose to UV light through the Mask3. Immerse the plate in the “Developer”5. Coat metal6. “Lift-off” in acetone E-beam evaporator3. Al2O3 deposition - This is for InsulatorAl2O3 Dual e-beam/thermal evaporator © gov nanofab Pressure : 6.4 X 10-5 torrDeposition : 1.2nm E-be
23페이지 | 2,000원 | 2010.01.15
PR is coated evenly by turning round rapidly.Si WaferSi Wafer coated with PRProcessLithographyBakeHeat the Si wafer coated PR for 3 minutes at 90 degree celsius.MaskExposureAlign the Mask exactly and emit UV.(fixed 10sec)UVProcessLithographyDevelopment∙ Dip the sample in the alkaline solution. →(process parameter : 10sec 60sec 180sec)∙ Due to differences in solubility of the
27페이지 | 2,500원 | 2018.06.01
PR의 일정 부분이 노광 되었을때 노광된 부분의 PR의 Polymer 사슬이 끊어지거나 혹은 더 강하게 결합하게 된다는 것이다. 보통 반도체 공정에서는 기판(웨이퍼)표면에 PR을 도포한 후에 그 위에 회로 패턴이 새겨져 있는 마스크를 접촉시키고 파장을 쏘이는 것이다. 그렇게 되면 마스크의 패턴에 따라 파장
3페이지 | 700원 | 2006.12.25