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평균입경은 다음과 같은 식으로 얻을 수 있다.GSD P = sqrt D84p over D16p ,``p=입자수 GSD V = sqrt D84v over D16v ,```v=부피원형도(C`ircularity)=2 TIMES (area TIMES pi ) ^0.5 /perimeter또한 위 식에서 면적(area)은 투영된 토너의 면적을 의미하고, 페리미터(perimeter)는 투영된 토너의 둘레 길이를 의미한다. 이 값
8페이지 | 1,400원 | 2011.01.26
[전극의 박층화] MLCC의 고용량화, Ni 전극의 박층화를 위한 BaTiO3의 내부 전극 코팅 기술 설계
평균 입경에 있어서는 100~300nm 크기의 파우더 제조 기술을 확보하고 있는 것으로 나타나 충진률과 직결되는 것으로 평가되고 있는 니켈층의 Coverage를 향상 관련 연구개발 또한 활발히 이루어지고 있다.현재 무라타 manufacturing에서는 내부전극 제조 시 유전체 수축온도와 니켈 소성온도의 차이로 인한 내
27페이지 | 2,100원 | 2011.09.23
평균 입경이 매우 크며 따라서 ball milling등의 입도를 작게 하는과정이 필요하다.또한 밀링 과정에서는 비대칭성의 입자가 만들어질 뿐만 아니라milling매체로부터 불순물이 생길 수 있다. 자로 사용하기 어렵다.따라서 경박 단소화가 요구 되는 유전체 제품의 기본소⑵습식법고체상반응법의 결점을
8페이지 | 900원 | 2014.11.25
평균적인 속도를 취하여 성장속도라고 생각하여 위의 식을 결정입경의 증가속도라고 하고, m과 A의 각각 (5)와 (6)식으로 정의한다. m``=``k1 L^3(5)A``=``k2 L^3(6)(5)와 (6)식을 (6)식에 대입하여 정리하면 (7)식과 같이 된다. dL overdt``=``(Kk2 /3ρk1 )( C-Cs``)(7)여기서, k1 ,k2를 결정의 모양에 대한 계수, ρ를
14페이지 | 1,400원 | 2011.02.18