[반도체공정] LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)

Pressure): BPSG, PSG, USG etc2) LPCVD(Low Pressure): HLD, Poly-Si, Si3N4 etc2. 반응 에너지에 따른 분류:1) PECVD(Plasma Enhance): P-TEOS, P-SiO, P-SiN- 주 에너지로 Electric Field내에 형성된 플라즈마의 높은 반응성을 이용3. 형성된 Film에 의한 분류:1) DCVD(Dielectric):2) Metal CVD: W, WSix4. 재료에 의한 분류:1) MOCVD(Metal Organic): 유기 Metal계 원재료 사용(TDMAT Base TiN)2) MICVD(Metal Inorganic): 무기 Metal계 원재료 사용 (TiCl4 Base TiN)6. 공정개요 : CVD반 응 원 리*CVD : Chemical Vapor Deposition이온주입E

PECVD 공정 및 장비서론CVD(Chemical Vapor Deposition)는 반응가스 간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착하여 절연막이나 전도성 박막을 형성시키는 공정으로서 반도체 제조공정의 핵심 기술이라고 할 수 있다. CVD는 일반 산업 분야에 있어서도, 재료 본래의 특성을 손상시키지 않고 표면 특성만을 강화시키는 박막 증착의 주요 기술로 자리 잡아서, 내마모성 박막이나 복잡한 형상을 가진 부품의 표면코팅 등에서 일상화될 정도로 그 산업화

반도체 산업 및 기술목차1.반도체정의2.반도체산업1) 반도체 산업시발점2) 반도체 산업비중3) 반도체 산업역사4) 반도체 산업발전전략3.반도체 공정1) wafer 제조2) 산화 공정3) 감광액도포 및 노광 공정4) 식각 공정5) 확산 및 이온주입 공정6) 박막 증착 공정7) 금속배선 공정8) 테스트 공정9) 패키징 공정4.반도체설비1) 해외 및 국내 설비회사2) 설비실정5.반도체 응용분야1) 사이버네틱스2) 인공지능이란?3) 사람 과 기계의 의사소통반도체의

chemicals/shinsei/cytop/index.htmlDu Pont 홈페이지/http://www2.dupont.com/Teflon/enUS/index.htmlThe Fluoropolymers Division Newsletter/http://www.fluoropolymers.org/목 차1. 서 론2. 본 론 1. 포장 필름1) 포장의 기능2) 포장에 요구되는 기능3) 포장 필름의 변화2.광학 필름 1)광학필름의 정의2)광학필름용 소재3)광학필름용 소재의 특징4)광학 필름의 변화3. 배리어성 포장기술1) 가스 배리어성 포장의 필요성2) 플라스틱의 가스 투과성① 필름 안의 가스 투과 정도와 가스 투과식

LPCVD열에 의한 산화박막보단 질이 낮지만 더 복잡한 공정이 가능MetalsWF6 → W + 3 F2WF6 + 3 H2 → W + 6 HFAl이나 Cu도 가능phosphorus pentoxide4 PH3 + 5 O2 → 2 P2O5 + 6 H21000℃이상에서 부드럽다.Diamond합성 다이아몬드 생성 가능낮은 압력 (1–27 kPa; 0.145–3.926 psi; 7.5-203 Torr) hot filament, microwave power, and arc discharges 부수적으로 이용하여 만듦⓶ ACVD(activated chemical vapor deposition)ACVD도 온도를 높여서 화학적인 반응에 의해 박막을 증착시키는 방법이다. CVD와 가장 다