FET바이어스 회로 및 FET 증폭기 예비레포트
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- 전자회로실험 예비레포트 입니다. 제 자료에 단원별로 여러 자료있고 시뮬레이션 결과레포트도 있으니 참고부탁드립니다.
- 본문내용
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Chapter 1. 관련 이론
FET(field effect transistor)는 전계효과 트랜지스터로 명명된다. 이 실험에서는 주로 JFET에 대해서만 취급하기로 한다. FET는 소스, 드레인, 게이트의 세 부분으로 구성되며 보통 FET의 전기전도는 소스와 드레인을 잇는 채널에 해당하는 다수캐리어 한 가지에 의해서 이루어지므로, FET는 Uni-pola Tr라고 한다. FET의 게이트는 항상 역방향바이어스를 걸어줘, 전류가 거의 흐르지 않는다. 그러므로 입력저항이 수백 MΩ 이상으로 대단히 크다. 게이트의 역방향바이어스를 증가시키면, 게이트와 소스-드레인 사이에 공핍층은 점점 더 넓어지고, 채널이 막혀버리게 된다. 이를 Pinch-off가 일어났다고 한다. 만일 게이트전압을 고정하고 드레인의 전압 를 높여주면, 드레인전류 가 크게 증가하다가 핀치오프가 일어나면서부터 전류는 더 이상 증가하지 않고 이를 드레인 포화전류 라고 한다. 또 = 0 으로 한 경우의 드레인 포화전류는 라고 표시하며, , ,의 사이에서
의 관계가 성립된다. FET의 3정수인 증폭정수 μ, 드레인저항 , 상호컨덕턴스 은 다음과 같이 정의 된다.
Common Source의 경우에 대해서만 실험하며 CS에 대한 회로를 보면
<그림1. 소스공통 FET 증폭기 & 등가회로>
여기서,,에 의해서 자기바이어스와 고정바이어스를 결합한 바이어스가 걸리고 있다. 고정바이어스는 동작점의 심한 변동을 막을 수 없고, 두 개의 전원이 소요되므로 자기바이어스를 사용하는 것이 낫다. 그러나 자기바이어스만으로도 동작점의 변동이 충분히 안정되지 않으므로, 이 둘을 결합하여 그림2와 같은 바이어스를 사용하게 되면, 동작점은 전달특성곡선에서와 같이 매우 더 안정되게 된다.
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