전자회로실험 다이오드 특성 실험 (PSpice 첨부) 레포트
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전자회로실험 '다이오드 특성 실험' 부분 레포트 입니다.
이 레포트로 기초전자실험 과목 A+ 맞았습니다.
과제에 참고하세요~ :D
- 목차
-
1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
2-4 최대전력 전달조건 설명
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 PSpice 시뮬레이션 준비물
3-2 PSpice 시뮬레이션 과정
3-3 시뮬레이션 결과
4. 실험
4-1 실험 준비물
4-2 실험 과정
4-3 실험 결과
5. 참고문헌
- 본문내용
-
1. 실험목표
⚫ P- N 접합 다이오드의 물리적인 특성을 이해한다.
⚫ 순방향 바이어스와 역방향 바이어스도니 다이오드의 I - V 특성을 측정한다.
⚫ 오실로스코프를 이용하여 다이오드의 특성 곡선을 나타낸다.
2. 관련이론
2.1 소개
⚫ 다이오드란?
- 2개의 단자를 갖는 전자 부품으로서, 한쪽에 낮은 저항을, 다른쪽에 높은 저항을 두어 전류가 한쪽으로만 흐를 수 있게 하는 물질이다.
⚫ N형 반도체와 P형 반도체란?
- 기본적으로, 반도체 물질은 진성 상태에서 거의 전류가 흐르지 않으며, 그 값도 거의 0에 가깝다. 이것은 전도대내의 자유 전자와 가전자대의 정공의 수가 한정되어 있기 때문이다. 실리콘(혹은 게르마늄)의 전도성을 증가시키기 위해서는 자유 전자와 정공의 수가 증가 되도록 실리콘(혹은 게르마늄)의 성질을 바꿔야만 하고, 이것은 진성 물질에 불순물을 첨가함으로써 가능하다. 이러한 과정에서, N형과 P형인 두 가지 형의 불순물 반도체는
- 참고문헌
-
전자회로실험
p.2~5
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