[화학공학실험] 졸겔법 결과 레포트 -Sol-Gel법을 이용한 SiO₂ 및 TiO₂제조 결과

및 축열 효과를 나타낸다.(2)축열보온 가공법최근의 축열보온 가공법을 대별하면 표와 같이 원사 내부 혼입법과 후가공법이 있다. 재 원사 내부에 세라믹을 혼합하는 방식이 주종을 이루고 있다.구분제조방법특징원사 내부 혼입법태양광 선택흡수성 세라믹 미립자 를 중합체 시스/코어 구조의 코어 부분에 분산시키거나 단일성분의 중합체에 분산시켜 용융방사하여 제조반영구적인 효

법이 아니라 화학적 합성 에 의해 제조하고 있다. 미분말 실리카의 합성 방법에는 건식법과 습식법이 있으나 이번 실험에서는 다음 식으로 표현되는 실리콘 알콕사이드의 가수분해와 축합반응에 의해서 합성되어 진다.Si(OC2H5)4 + 4H2O > Si(OH)4 + 4C2H5OHSi(OH)4 > SiO2 + 2H2O여기서 가수분해법은 가수분해에 의해 세라믹스 분말원료를 합성하는 방법으로써 무기염 가수분해와 알콕사이드 가수분해 방법이 있으며, 반응 생성물은 일반적으로 수산화물 및

이용하여 팁 끝에 레이저를 쏘아 detecting된 레이저를 feedback 시스템에 기초하여 디코딩하여 이미지하는 방법이다 위의 두 방법 모두 lithography가 가능하다.5. 이론 및 실험5.1 SPM을 이용한 리소그라피의 종류와 방법Optical lithography는 e-beam lithography 기술로 제작된 포토마스크를 사용하여 UV를 쪼여 pattern을 한 번에 wafer 상에 전사하지만 SPL 기술은 펜으로 종이 위에 그림을 그리듯이 기판이나 wafer 위에 만들고자하는 소자를 실측대로 그리는 방식으로 mask를

SiO2을 사용한다, 마지막으로 우리가 설계한 c축으로 배향된 ZnO을 활성 층으로 사용하여 전체적으로 투명한 반도체 소재를 설계하여 항공기 조종사용 디스플레이로 활용 가능토록 할 것이다.Reference1) Sol-gel 법으로 제작한 Al-doped ZnO 박막의 도핑 농도 및 열처리 온도에 따른 광학적 및 전기적 특성/ 2007년 5월 전자공학회 논문지 제 44 권 SD 편 제 5 호/ 신현호,강성준,윤영섭2) Zinc oxide - A Material for Micro- and Optoelectronic Applications (NATO Science Series, Ⅱ. Mathematics

및 p형의 실리콘 웨이퍼를 제조하기도 하고 원하는 결정 방향으로 결정을 성장시키기도 한다.규소로부터 전자 재료급 실리콘을 제조하는 방법은 다음과 같은 4단계로 요약할 수 있다.i) 규소로부터 약 98% 이상의 순도를 가지는 금속 재료급 실리콘 (MGS ; Metallurgical Grade Silicon)으로의 환원 : SiO2+ 2C → Si + 2CO원료인 규소(quartzite ; SiO2)는 자연 상태로 존재하는 SiO2보다는 상대적으로 깨끗한 상태인데 석탄이나 코크 또는 나무 조각과 같은 탄소 성분을 첨가