기초전자공학 실험 - RLC회로

회로를 구성한다. 인덕터 L=8H, R=1kΩ, C=0.1muF이고 교류전압계는 신호발생기 양단에 연결한다.2) 신호발생기를 60HZ로 설정하고 그 출력을 5Vrms로 조정한다. 같은 전압계를 이용하여 R 양단의 전압 VR을 측정하여 기록한다.3) 또 다른 주파수에 대해 과정을 반복한다.5. 예상결과그림 6. f=100Hz일 때그림 7. f=100Hz일 때그림 7. f=1kHz일 때그림 8. f=5kHz일 때6. 참고문헌전자전기기초실험 /대한전자공학대역 필터 - 위키백과, 우리 모두의 백과사전 (wikipedia.org)

가로축은 주파수, 세로축은 전류로 하여 공진 특성 곡선을 모눈종이에 그려서 일반적인 공진 특성곡선과 비교해본다. 그림3. 병렬 공진 회로5. 예상결과RLC 직렬회로, R=100Ω,`C=1 mu F,``L=1mH일 때, f 0 =5032kHzf=0.6f 0일 때 f=0.8f 0일 때f=f 0일 때, f=1.2f 0 일 때 f=1.4f 0일 때6. 참고문헌대한전자공학회 편/ 전기전자기초실험/ 청문각네이버 지식백과공진회로Resonance circuit (물리학백과)네이버 지식백과 RLC 회로 RLC circuit (물리학백과)

공학,홍릉과학출판사,1992▶디지탈논리와 컴퓨터설계,황희융,1986▶디지탈전자회로,탑출판사,1982▶디지탈논리설계기초,에드텍,1994FILE:14CHAPTE.HWPⅠ.제목―랜덤 억세스 메모리:(RAM)-스크래취 패드 메모리Ⅱ.목적1.반도체 메모리의 기본원리에 대해 공부한다.2.TTL MSI 64비트 메모리셀의 동작에 대해 공부한다.Ⅲ.실험기기 및 부품▶직류 전원공급기:+5V,100㎃이상▶CRO : dc 결합된 입력과 전압교정된것▶스위치 뱅크:뱅크당 10개의 스위치▶TTL-IC 7400:4

공학,홍릉과학출판사,1992▶디지탈논리와 컴퓨터설계,황희융,1986▶디지탈전자회로,탑출판사,1982▶디지탈논리설계기초,에드텍,1994FILE:14CHAPTE.HWPⅠ.제목―랜덤 억세스 메모리:(RAM)-스크래취 패드 메모리Ⅱ.목적1.반도체 메모리의 기본원리에 대해 공부한다.2.TTL MSI 64비트 메모리셀의 동작에 대해 공부한다.Ⅲ.실험기기 및 부품▶직류 전원공급기:+5V,100㎃이상▶CRO : dc 결합된 입력과 전압교정된것▶스위치 뱅크:뱅크당 10개의 스위치▶TTL-IC 7400:4

목 차실험 1 직류-전력 공급기와 멀티미터 작동법(전압, 전류, 그리고 저항 측정법) 1실험 2 키르히호프의 전류 법칙과 전압 법칙 그리고 옴의 법칙 10실험 3 저항기들의 직렬, 병렬, 그리고 직-병렬 접속 15실험 4 전압-분배 및 전류-분배의 공식 20실험 5 브리지 회로 24실험 6 중첩의 원리 27실험 7 테브난 등가 회로 32실험 8 노튼 등가 회로 37실험 9 망로 방정식과 마디 방정식 41실험 10 최대 전력 전달 46실험 11 오실로스코프와 함수 발생기 작동법 49