실험 레포트 반도체 다이오드의특성
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실험 1 .반도체 다이오드의특성
1. 목적
1) 반도체 다이오드의 동작 특성을 이앻하고, 순방향 및 역방향 바이어스 효과를 고찰한다.
2) 반도체 다이오드의 전압-전류 특성을 측정하여 동작 특성과 비교, 확인한다.
2.이론
P형 반도체 : 전하를 옮기는 캐리어로 정공 (홀)이 사용되는 반도체이다. 양의 전하를 가지는 정공이 캐리어로서 이동해서 전류가 생긴다. 즉, 정공이 다수 캐리어가 되는 반도체이다. 예시로 실리콘과 동일한 4가 원소의 진성 반도체에, 미량의 3가 원소 (붕소, 알루미늄등)을 불순물로 첨가해서 만들어진다.
N형 반도체 : 전하를 옮기는 캐리어로 자유전자가 사용되는 반도체이다. 음의 전하를 가지는 자유전자가 캐리어로서 이동해서 전류가 생긴다. 즉, 다수 캐리어가 전자가 되는 반도체이다. 예시로, 실리콘과 동일한 4가 원소의 진성 반도체에, 미량의 5가 원소 (인, 비소등)을 불순물로 첨가해서 만들어진다.
다이오드(diode): 저마늄(영어: germanium 또는 게르마늄(독일어: germanium), Ge)이나 규소(Si)로 만들어지고, 주로 한쪽 방향으로 전류가 흐르도록 제어하는 반도체 소자를 말한다. 정류, 발광 등의 특성을 지니는 반도체 소자이다.
다이오드는 반도체의 PN 접합에 바탕을 두고 있다. PN 다이오드에서 전류는 P형 반도체(anode) 면에서 N형 반도체(cathode) 면으로만 흐를 수 있다.
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