Cu film의 전기적 특성 분석 실험
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1. 실험목적
전자제품(반도체, display)에 전기배선 재료로 사용되는 Al이 있다. 하지만 최근의 경향이 고집적화, 대면적화로 진행됨에 따라서 대체 재료로 Cu이 각광을 받고 여러 방면에서 연구를 진행하고 있다.
Cu bulk의 비저항은 1.67μΩ-cm로서 Al bulk(2.7μΩ-cm)에 비해 매우 낮다. 이러한 특성으로 인하여 RC delay로 인한 신호의 지연으로 응답속도의 차이를 극복하는데 이용할 수 있는 좋은 재료이다.
하지만 이러한 Cu 박막의 전기적 특성에 영향을 미치는 인자들에 대한 실험을 진행하고자 한다.
2. 실험방법
SiO2를 1Cm×1Cm 크기로 자른다.
클리닝한다(아세톤에 담그고 아세톤에 녹은 물질을
날리기 위해 알코올로 세척 후 DI water로 헹군
다. 마지막으로 질소가스로 물을 제거한다)
- 참고문헌
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<박막공학>(2009), 이문희, 두양사
<결정성장학>(1998), 김현구, 대웅
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