레포트 (285)
구 분 Diode SCR GTO BJT IGBT MOSFET MCT회로표기양방향 전압저지 X ○ ○ X ○ X ○양방향 전류 X X X X X X X구동방식 해당없슴 전류구동 전류구동 전류구동 전압구동 전압구동 전압구동온제어 X ○ ○ ○ ○ ○ ○온제어신호 (VAK> 0) Pulse, + IGPulse, + IGIB> 0 VGE> 0 VGS> 0 Pulse, - VGA오프제어 X X ○ ○ ○ ○
1페이지 | 1,000원 | 2016.01.08
MOSFET의 특성을 정리해보면 ① n-channel MOS는 gate-source 전압이 (+)일 때 전도된다.② p-channel MOS는 gate-source 전압이 (-)일 때 전도된다.③ nMOS는 source 전압이 0V, pMOS는 gate-source 전압이 5V일 때 off된다. 입력이 high 가 되면 p-channel FET는 off되고, n-channel FET 가 on되므로 출력은 low가 된다. 여기서 알 수 있는 바
6페이지 | 2,000원 | 2015.07.25
MOSFET 같은 것을 배움으로 반도체기술의 최강인 대한민국에서 이공계 학생들에게 요구하는 학문중 하나이기도 하다. 3) 타 대학과의 커리큘럼비교.한경대학교에서 전자회로는 전공과목중 하나이다. 인하대학교 역시 전자회로는 전공과목중 하나로 지정되어있다. 그리고 한양대학교에서도 전자회로를
5페이지 | 800원 | 2015.06.27
MOSFET을 이용해서 만든 것이다. 또한 우리가 사용하는 램, CPU도 모두 MOS를 사용하여 만든 것이므로 중요하다.3) 타 학교와의 커리큘럼 비교공주대학교에서는 전자이론과 전자회로1을 3학년2학기때 배우고 4학년1학기때 전자회로 2를 전공필수 과목으로 배운다. 한밭대학교에서도 2학년때 회로이론 과목
5페이지 | 800원 | 2015.06.27
반도체 공정실험-SiO2 절연막 두께에 따른 C-V, I-V의 특성
- Contents -1. 실험목적 (Purpose)2. 실험변수 (Variables)3. 이론배경 (Theories)4. 실험방법 (method)5. 실험결과 및 고찰 (result & dicussion)6. 결론(conclusion)1. 실험목적 (Purpose)MOSFET Structure을 가진 MOS Capacitor를 제작하여 그 제작 공정 과정을 알고 MOS Capacitor의 구동 원리를 이해하며 Oxide층(SiO₂) 두께에 따른 MOS Capacit
16페이지 | 1,700원 | 2014.12.23
MOSFET 등의 장치에 응용되고 있다. (1) MOS의 구조MOS는 반도체 기판위에 이산화규소(Si02)로 된 Depletion layer(공핍층)와 금속층을 쌓아서 얻어진다. SiO2가 유전체(dielectric) 물질이므로 평행판축전기(두 개의 도체판으로 구성된 축전기)의 두 금속 전극 중에서 하나를 반도체로 대체한 것과 같은 구조이다.(2)
18페이지 | 1,900원 | 2014.12.23
MOSFET, CMOS, PMOS, ROM, EP-ROM 등 다양한 형태의 Device를 만드는데 이용됩니다. 이들 Device는 오늘날 전체 산업분야에서 없어서는 안될 중요한 부품들로서 각종 전자제품, 사업 자동화 기계, 컴퓨터, 인공위성 등 오늘날 전 산업 분야에 영향을 미치고 있습니다. 그리고 또한, 마이크로 칩을 제작하기 위해서
6페이지 | 1,500원 | 2013.12.23
[전자재료실험] MOS capacitor 의 C-V, I-V 특성 측정 실험
MOSFET이 반도체산업의 중심에 서있다. 전기신호의 증폭과 스위칭을 가능하게 한 Transistor의 기능에 가장 근본적인 원리를 설명하여 줄 수 있는 것이 MOS capacitor 이다.3. 기본이론1) Mos capacitor 그림 1 The metal-oxide-semiconductor capacitor그림 1은 Mos capacitor는 Si층과 금속판 사이에 끼어있는 얇은 SiO2층으로 구
8페이지 | 1,200원 | 2013.04.11
MOSFET게이트에 전압을 인가하지 않을 때 반도체 표면은 p형으로 있으므로, 소스와 드레인 사이에 n+p n+구조로 전류가 거의 흐르지 않는다.그러나 게이트가 충분히 큰 정(+) 전위로 되면 절연층이 용량의 역할을 하므로 p형 Si는 바로 아래에 전자(p형에서는 소수 캐리어)를 모아 표면이 n형으로 반전하므
9페이지 | 1,200원 | 2013.04.11
[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)이 반도체산업의 중심에 서있다. 전기신호의 증폭과 스위칭을 가능하게 한 Transistor의 기능에 가장 근본적인 원리를 설명하여 줄 수 있는 것이 MOS capacitor 이다.3. 실험이론① Capacitor(커패시터)커패시터란 두개의 도체판을 절연물질(Insulator)을 중간에 두고 맞
14페이지 | 1,700원 | 2013.04.11
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