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기상증착식 : 고온의 로 안에 탄소 성분의 가스를 흘려주면서 탄소나노튜브를 자연 생성시키는 방법. 촉매와 함께 600~1000도의 고열이 사용된다. ● 플라즈마 화학기상증착식 : 열화학 기상증착식과 유사한 방법이지만 합성 시 온도를 낮추기 위해 고주파 전원으로 플라즈마를 발생시켜 반응가스를 분
12페이지 | 2,000원 | 2014.03.26
법을 발전시킨 계기가 됨.방 법원리의 예입 경특 징입경분포순 도생산성가 격증발 응축법가스증발→기벽에 응축100~1000Å우우가고기상합성법기상화학반응3SiH 4 +4NH 3 -> Si 3 N 4 +12H 30.01~1μm우양수보통화학적증착반응가스REL -> 열분해 가열기체비산화물석출부정양
20페이지 | 2,500원 | 2014.03.26
기상 증착법에 의해, 특히 박막 형태로 얻어지고 있으며, 이종 기판상 단결정 다이아몬드 성장이 가능해 질 경우 극한 상황에서도 동작하는 반도체 소자나 청색 발광 다이아몬드 등과 같은 획기적인 이용분야가 전개될 전망이다. 고분자의 표면처리 - 고분자 재료의 소수성, 친수성, 염색성, 접착성 등
6페이지 | 1,500원 | 2014.03.26
기계재료 - 나노기술[나노기술은 무엇이며, 나노재료의 특성및 활용범위에 대해서]
기상증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)플라즈마CVD는 열CVD에 비해서 저온에서 탄소나노튜브를 합성시킬 수 있는 장점이 있으며, 플라즈마CVD에서 방전을 일으키는 전원은 직류(DC) 또는 고주파 전원의 두 가지로 구분할 수 있는데, 고주파 전원으로는RF(13.56MHz)와 Microwave(2.47GHz)를 대표적으로 사용하
14페이지 | 2,500원 | 2014.01.14
Fabrication process of CMOS - CMOS 제작 공정
기상 에피택시 - SiCl4 + 2H2 → Si + 4HCl (1150 °C ~ 2300 °C)SiH4(실란) → Si + 2H (1000 °C ~ 1100 °C)실란을 이용하면 SiCl4를 이용하는 것보다 불순물의 재확산을 억제p형 - BCl3, B2H6사용n형 - PCl5, PH34) 증착증착막 재료의 원소가스를 기판 표면위에 흘려 원하는 박막을 형성시키는 방법화학증착법(CVD) - 실
9페이지 | 1,800원 | 2013.12.23
법으로는 전기방전법, 열분해법, 레이저 증착법, 플라즈마 화학 기상 증착법, 열화학기상증착법, 전기분해방법, Flame합성방법 등이 있습니다. 탄소나노튜브는 21C 꿈의 신소재라 불리며 과학의 발전정도에 따라 항공우주, 생명공학, 환경에너지, 재료산업, 의약의료, 전자컴퓨터, 보안안전, 과학교육 등
7페이지 | 1,500원 | 2013.12.23
반도체 전前공정 및 CVD 공정반도체 전前공정요약웨이퍼제조공정12웨이퍼8대가공공정1.산화2.감광액5.식각3.노광6.이온주입4.현상8.금속배선7.화학기상증착화학기상성장법 化學氣相成長法, chemical vapor depositionIC(집적회로) 등의 제조공정에서 기판 위에 규소 등의 박막을 만드는 공업적 수법
7페이지 | 1,000원 | 2013.12.23
[물리학] 탄소나노튜브[Carbon NanoTube;CNT]에 관해서
법>>탄소나노튜브 합성1993 IBM의Bethune와 Iijima박사1nm 수준의 단일벽나노튜브 합성1996 Smalley레이저 증착법>>SWNT를 고수율로 성장1998 Ren플라즈마화학기상증착법>>Glass위에 고순도의 탄소나노튜브 합성Graphene연필심에 사용되어 우리에게 친숙한 흑연은 주기율표상 원자번호 6번에 해당하는 탄소로만들
22페이지 | 3,000원 | 2013.12.23
기상증착법 이라 하며, 이는 반응가스를 이용하여 전구체(라디칼)가 기판위에 이동한뒤 열분해에 의한 화학반응을 거쳐 전혀다른 화합물질이 증착되는 것을 말함. α (Gas) + β (Gas) + A (Solid) + B (Gas) + 반응 Energy (열 ,플라즈마 , 빛 (UV or LASER), 또는 임의의 에너지)By-ProductChemical Vapor DepositionTmosph
13페이지 | 1,500원 | 2013.12.23
나노 테크놀로지 - 나노재료의 특성및 활용범위에 대해서
기상증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)플라즈마CVD는 열CVD에 비해서 저온에서 탄소나노튜브를 합성시킬 수 있는 장점이 있으며, 플라즈마CVD에서 방전을 일으키는 전원은 직류(DC) 또는 고주파 전원의 두 가지로 구분할 수 있는데, 고주파 전원으로는RF(13.56MHz)와 Microwave(2.47GHz)를 대표적으로 사용하
15페이지 | 2,200원 | 2013.12.23