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다이오드의 전압-전류특성 실험 수업목표반도체(Semiconductor)반도체의 정의 ►전기적인 도체와 절연체 사이의 저항값을 가지는 고체.► 제품으로는 트랜지스터, 접합다이오드,제너다이오드, 터널다이오드, IC(Integrated circuit), 금속정류기가 있음.► 반도체 재료에는 Ge(게르마늄), Si(실리콘)이 있음.
16페이지 | 800원 | 2019.05.14
다이오드 D1은 순방향 바이어스가 되며, 따라서 전압원에 대하여 매우 낮은 저항값을 가진다. 따라서 2차전압의 대부분이 부하저항 RL 양단에 나타난다. 순방향바이어스된 다이오드는 대표적으로 실리콘의 경우 0.5V 에서 1.0 V, 게르마늄의 경우 0.2V에서 0.6v의 순방향 전압강하를 나타낸다. 회로해석을 간
3페이지 | 1,000원 | 2010.01.11
게르마늄(Ga)도전율(저항율)이 매우 높다.도핑 물질As, SbIn, Ga다수 캐리어자유전자정전하(정공)소수 캐리어정전하(정공)자유전자접합 다이오드P형과 N형 반도체를 접합하여 만듬한쪽방향으로만 전류를 흐르게 함순방향 전압도통전압(문턱전압) 존재Si(0.7V), Ga(0.3)역방향 전압한계초과시 에
15페이지 | 800원 | 2019.05.13
다이오드(diode): 저마늄(영어: germanium 또는 게르마늄(독일어: germanium), Ge)이나 규소(Si)로 만들어지고, 주로 한쪽 방향으로 전류가 흐르도록 제어하는 반도체 소자를 말한다. 정류, 발광 등의 특성을 지니는 반도체 소자이다.다이오드는 반도체의 PN 접합에 바탕을 두고 있다. PN 다이오드에서 전류는 P형
4페이지 | 1,600원 | 2015.06.11
다이오드의 이상적인 전류-전압 특성하지만 실질적으로는 와 같이 동작할 수 없으며 다이오드 양단에 순방향 바이어스가 걸렸을 경우에 다이오드 자체에서 전압강하가 발생된다. 이 전압강하의 양은 다이오드 종류에 따라 다르나 흔히 쓰이는 실리콘 다이오드의 경우는 약 0.7V, 게르마늄 다이
8페이지 | 900원 | 2007.04.01
다이오드에 순방향 전압이 인가되면 부하전류에 해당하는 만큼의 전류를 통과시키고 역방향의 전압이 인가되면 전류를 거의 통과시키지 않는다. 이것은 순방향 저항이 낮은 반면에 역방향 저항은 높기 때문이다.현재 반도체 소자를 만드는 주재료는 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)이다. Si와 Ge은 실질적
8페이지 | 1,500원 | 2013.12.23
다이오드 특성Ⅳ족 원소인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)은 이들이 결정상태를 이루고 있을 때 각 원자가 가지고 있는 4개의 원자가 전자들이 이웃하는 4개의 다른 원자와의 강한 공유결합을 형성하고 이들에 속박되어 아주 큰 저항을 가지고 있다. 이 결정에 Ⅲ족이나 Ⅴ족의 불순물이 들어가면 일반적
5페이지 | 1,200원 | 2015.03.12
다이오드다이오드는 실리콘과 게르마늄의 진성 반도체 결정 속에 그림1과 같이 P형 반도체의부분과 n형 반도체의 부분을 만들어 이들이 서로 접속하게 한 것으로 pn접합(pn junction)이라 한다. 그리고 p형 부분에는 애노드, n형 부분에는 캐소드의 두 개 전극이 양단에 부착되어 있다. 여기서, p형 부분과
7페이지 | 800원 | 2010.03.13
다이오드, IC, 정류기 컴퓨터, 라디오, TV 수신기, VCR 등*반도체의 특징고체 -> 소자에 진동가능성 ↓사용전력 ↓, 방열량 ↓, 작동의 신속성 ↑외부상태 변화에 영향 ↓소형화 -> 다수의 회로소자 내장 가능*반도체 재료와 불순물높은 순도의 실리콘(Si), 게르마늄(Ge)특정 불순물의 첨가N형 반도체
19페이지 | 800원 | 2019.05.14
다이오드는 대표적으로 실리콘의 경우 0.5V에서 1.0 V, 게르마늄의 경우 0.2V에서 0.6v의 순방향 전압강하를 나타낸다. 회로해석을 간단히 하기 위하여 전압강하는 대부분 무시하며, 특별히 공급전압이 높을 경우에도 다이오드의 순방향 전압강하는 출력전압에 대하여 아주 작은 비율이 된다. 반파
3페이지 | 1,000원 | 2010.01.11