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게르마늄 물질인 경우에 수 마이크로(μ : 백만분의 1) Ampere이며 실리콘인 경우에는 수 나노(10억분의 1) Ampere 이며 온도가 올라갈 수록 누설 전류도 증가한다. 컬렉터와 베이스간의 누설 전류는 트랜지스터의 동작에 중요한 영향을 미친다.트랜지스터는 온도에 매우 민감한 소자이기 때문에 누설전류
26페이지 | 4,000원 | 2010.04.15
게르마늄(germanium) 등과 같은 Ⅳ족 반도체와 Ⅲ족과 Ⅴ족, 혹은 Ⅱ족과 Ⅳ족이 결합된 화합물 반도체로서 나눌 수 있다. Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체로는 GaAs, InP 등이 있으며, Ⅱ-Ⅳ 반도체로는 ZnSe, CdS 등을 들 수 있으나, InGaAsP 등과 같이 여러 가지의 원소가 동시에 결합된 화합물 반도체들이 사용되기도 한다.
42페이지 | 2,200원 | 2010.01.18
게르마늄 결정을 재료로 사용했는데 신뢰성과 안전성이 낮고 생산성이 매우 나빴기 때문에 사용 범위가 한정되어 있었다. 그러나 그 후에 수많은 연구개발이 급속히 진전되어 게르마늄 반도체 결정이 실리콘 반도체 결정으로 재료가 바뀌자 초기의 문제점들이 거의 해결되었다. 따라서 트랜지스터의
21페이지 | 2,000원 | 2010.01.12
게르마늄에 가전자가3가인 Al,Gb,B,In등을 첨가 1개가 모자라는 정공을 만든다.N형 반도체:가전자가 5가인 P,As,Sb,Bi등을 도핑 1개가 궤도에 진입하지 못하고 궤도 밖에서 자유전자가 된다.바이폴라 트랜지스터트랜지스터 P형과 N형을 3개로 접합 시킨 것이다.PNPNPN컬렉터베이스이미터BIbIe컬렉터
50페이지 | 5,000원 | 2010.01.05
다이오드 등의 전자 부품을 사용하여 정류하여 직류를 얻어내는 방식의 속도측정법이다. 전자식 속도 센서차지펌프식 타코제너레이터타코제너레이터가 기계적인 방식을 도입하여 속도를 얻는다면 이것은 받아들인 신호를 전자 회로에 의해 전기 신호로 바로 변환하여 검출하는 센서이다. 출력으로
22페이지 | 4,000원 | 2010.01.05
게르마늄 Ge셀렌 Se, 중금속의 산화물 등이 속한다. 반도체는 다이오드트랜지스터발진소자직접회로 등 전기신호를 다루는 소자, 발광다이오드광전관반도체 레이저 등의 광전기변환소자, 태양전지, 초음파의 발진증폭기, 서미스터라든가 갖가지 센서, 반도체 전극 등 그 응용 영역이 매우 넓
94페이지 | 3,500원 | 2009.12.29
다이오드 재료 : Si, Ge, GaAs, Se②트랜지스터재료 : Si, Ge③사이리스터 재료 : Si④집적회로재료 : Si2) 광전변환 재료①광전셀, 광전지 재료 : Si, Ge, GaAs, Se, CdS②광도전 재료 : CdS, PbO, Se, ZnO, 유기반도체 ③형광재료 : ZnS, ZnO 등 ④EL재료 : ZnS, ZnSe 등⑤발광다이오드 재료 : Si, Ge, GaAs, Se3) 열전변화재료
7페이지 | 700원 | 2009.12.28
다이오드라 불리기도 하는데 교류를 직류로 바꾸는 정류 작용을 한다. 진정한 전자시대를 연 삼극 진공관은 미국의 발명가 드 포리스트(Lee de Forest, 1873-1961)가 발명했다. 예일 대학에서 물리학 박사 학위를 받은 그는 이극 진공관의 필라멘트와 금속판(양극) 사이에 제어 그리드를 삽입하여 삼극 진공
50페이지 | 3,000원 | 2009.12.27
다이오드는 게르마늄이나 실리콘(비소)과 같은 반도체 결정표면에 텅스텐 또는 백금합금과 같은 금속제 침(針)의 첨단을 접촉시킨 구조로 되어 있다. 구조가 간단하고 값이 싸며 고주파 특성이 좋기 때문에 광범위한 응용분야를 가지고 있다. 그러나 접촉점에 압력이 가해지기 때문에 특성이 이상적인
24페이지 | 2,500원 | 2009.11.08
게르마늄 결정을 재료로 사용했는데 신뢰성과 안전성이 낮고 생산성이 매우 나빴기 때문에 사용 범위가 한정되어 있었다. 그러나 그 후에 수많은 연구개발이 급속히 진전되어 게르마늄 반도체 결정이 실리콘 반도체 결정으로 재료가 바뀌자 초기의 문제점들이 거의 해결되었다. 따라서 트랜지스터의
20페이지 | 2,500원 | 2009.11.08