레포트 (35)
[전자공학] MOS CAPACITOR의 C-V, I-V 특성평가
MOS cap전극과 기판사이 일함수 존재이상적인 MOS cap전극 일함수=기판 일함수-5.000E+00 1.458E+00 0.000E+00 -5.000E+00 1.260E+01 0.000E+00 -5.000E+00 7.210E-01 0.000E+00-4.900E+00 1.486E+00 0.000E+00 -4.900E+00 1.262E+01 0.000E+00 -4.900E+00 7.150E-01 0.000E+00-4.800E+00 1.468E+00 0.000E+00 -4.800E+00 1.263E+01 0.000E+00 -4.800E+00 7.090E-01 0.000E+00-4.700E+00 1.463E
22페이지 | 1,600원 | 2012.03.08
실험: Photo Lithography1. 실험 목적MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여 PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은 90sec로 고정하며 Exposure time
3페이지 | 800원 | 2015.02.23
반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation)
실험: Annealing(Silcidation)1. 실험 목적MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. 이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃,
3페이지 | 800원 | 2015.02.23
mos, myc, jun, fas 등의 종양유전자를 가지고 있는데, 이러한 유전자들에 의해 생산되는 단백질들은 세포 성장을 조절하는 세포 단백질들과 거의 동일하다. 따라서 이들 종양유전자가 과도하게 발현되거나 기능에 이상이 생기면 세포 성장을 자극하는 결과를 초래하게 되므로 빠른 시간 내에 종양이 형성
2페이지 | 800원 | 2016.04.16
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- 자기소개서 예시모음 6개
- 자원봉사 프로그램의 의의 장단점과 자원봉사 관리과정의 문제점 등을 분석하고 프로그램에 대한 본인의 전반적인 의견 및 개선점등을 서술