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MEMS 및 ICS에 식각공정 분류와Low-pressure CVD(LPCVD), Plasma-Enhanced CVD(PECVD)의 원리
REPORT 학과:기계공학부학번:200921429이름:김근년과목:마이크로 나노공학제출일:2012년 3월28일1.MEMS 및 ICS에 사용되는 식각공정을 분류하고 이에 대하여 장단점과 특성을 아는바 대로 기술하시오 MEMS 식각공정은 건식식각공정이 대표적이다. 건식식각기술은 용액 속에서 식각을 하지 않고 기체상태에
4페이지 | 2,000원 | 2012.06.24
■ 사진식각법(Photolithography) ■1) Photoresist coat(PR 코팅)PR coating이라 함은 분사된(dispense) liquid(액상) PR을 높은 회전수로 회전시켜 균일한 얇은 막의 형태로 기판 전체를 도포시킨 후 일정온도에서 baking하여 PR의 용제(solvent)를 기화제거시켜 단단하게 만드는 과정을 말한다.PR(photo resist)이란 특정 파장
5페이지 | 500원 | 2005.12.06
제목:플라즈마식각기술목 차Ⅰ. 서 론1. 플라즈마란?2. 플라즈마의 활용Ⅱ. 본 론1-1. 플라즈마의 발생원리1-2. 플라즈마의 특성2-1. 직류 플라즈마, 교류 플라즈마2-2. ICP 2-3. Radical 이란?3-1. Wet etching VS. Dry etching3-2. 플라즈마 etching mechanism 3-3. 플라즈마 Etching3-4. 비이상적인 etching 현상4-1. 식각을
26페이지 | 2,100원 | 2010.02.10
목 차Ⅰ. 서 론1. 플라즈마란?2. 플라즈마의 활용Ⅱ. 본 론1-1. 플라즈마의 발생원리1-2. 플라즈마의 특성2-1. 직류 플라즈마, 교류 플라즈마2-2. ICP 2-3. Radical 이란?3-1. Wet etching VS. Dry etching3-2. 플라즈마 etching mechanism 3-3. 플라즈마 Etching3-4. 비이상적인 etching 현상4-1. 식각을 결정하는 두 요소 4-2. 대
19페이지 | 1,400원 | 2010.06.14