전기전자공학 실험 - 회로에서 저항의 연결

연결되어 있다면, 전자는 금속을 따라 움직이며 전류를 생성할 것이다. 전자는 (-)극에서 (+)극 쪽으로 흐르지만 전통적으로 전류는 (+)극에서 (-)극으로 흐른다고 한다. 전류의 단위는 암페어(A)이고 회로의 한 점을 1초 동안에 지나가는 전하에 대응된다.1~A ~=~ 1~ C/s구성 요소에 흐르는 전류는 전류계를 그 구성요소와 직렬로 연결하여 측정한다. 전지는 전위차를 형성하여 회로를 따라 전하의 흐름을 만든다. 발전기를 포함한 다른 전기장치나 태양전지,

전자공학과 반도체1. P형반도체2. N형반도체3. 공핍층Ⅴ. 전자공학과 집적회로(IC)1. 반도체 IC(모노리틱 IC)1) 바이폴라 IC2) 유니폴라 IC(MOS형) : MOS형 FET가 중심2. 혼성(HYBRID) IC1) 박막(薄膜) IC : 증착법으로 제조2) 후막(厚膜) IC : 인쇄법으로 제조Ⅵ. 전자공학과 증폭기1. 증폭기2. 분압기3. 여러 가지 전자 소자들4. 스위치5. 서미스터6. LDR(광저항)7. 마이크로폰8. 발광다이오드9. 확성기10. 릴레이Ⅶ. 전자공학과 제어시스템참고문헌Ⅰ. 개요ABET(

저항이 일정할 때 전류는 전압에 비례한다.’이다. 옴의 법칙은 전자공학에서 가장 중요한 법칙으로 다음 식으로 표시 된다.I= V over R여기서 I는 전류를, V는 전압을, R은 저항을 나타낸다.※ 실험방법표시 값이 1.0 kΩ, 1.5 kΩ, 2.2 kΩ인 저항의 값을 측정하여 에 기록하여라.의 저항 R 1을 써서 회로를 구성하여라. 주의 : 전류계는 제대로 연결하지 않으면 쉽게 고장 날 수 있다.전원공급기의 전압을 2.0 V로 맞추어라. 전원을 회로에

저항 R 값이 커질수록 Δf값이 커지고 따라서 f0/Δf 로 계산되는 Q값은 작아진다.4) RLC 회로에 전원을 공급하는 저항 양단의 전압보다 축전기 양단의 전압이 높아지는 현상의 이유 V C = V g over 2 pi fC sqrt R ^2 +(2 pi fL- 1 over 2 pi fC ) ^2식을 수학적으로 보면, f → 0, Vc → Vgf → f0, Vc →f → ∞, Vc → 0이 된다. 즉, (L/C)0.5 값이 벌써 60정도 되므로 VC값이 Vg에 비해 커질 수 밖에 없다. 그러나 우리 실험에서 저항이 클 때(47.2Ω)의 VC값이 Vg보다 작게

저항)는 그 물질의 전기적 성질에 관하여 매우 중요한 정보를 제공한다. 이를 실험적으로 결정하기 위하여 먼저 저항을 정확하고 정밀하게 측정하여야 한다. 이를 위하여 휘트스톤 브리지가 종종 사용된다. 본 실험에서는 휘트스톤 브리지의 구조와 사용법을 익히고, 미지 저항체의 전기 저항을 측정한다.3.이론 다음 그림은 Wheastone Bridge 의 간단한 회로이다. 휘트스톤 브리지휘스톤브리지는 그림1과 같이 저항 R1, R2, Rk와 Rx를 연결하고,