산화공정 실험보고서

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2013.12.23 / 2019.12.24
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본문내용: 1. 실험목적

실리콘 IC 웨이퍼 제조의 기초는 웨이퍼 표면에 산화층을 열적으로 성장시키는 능력이다. 실리콘 기판 속으로 불순물을 확산시켜서 산화층을 열적으로 성장시키고 식각시키고 패턴화되는 산화막 마스킹 공정이 1950년부터 두드러지게 개발되었다. 이 개발은 트랜지스터를 대량으로 제작하기 위한 공정 개발에 있어서 기본적인 요소이다. 이러한 방법으로 산화공정은 실리콘 평면 기술의 발전에서 주요 임무를 수행하게 되었고 오늘날까지도 웨이퍼 제작공정의 중요한 부분을 설명하는 데 이용한다. 산화공정은 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800-1200℃)에서 산소나 수증기(HO)를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO)을 형성 시키는 공정이다.

참고문헌: Michael Quirk · Julian Serda, 『반도체 소자 공정기술』,2006

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