[전자공학] 산화물 박막트랜지스터(oxide TFT)기반의 디스플레이 응용회로 개발

트랜지스터처럼 콘트롤 게이트(CG)이지만, 두 번째 게이트는 산화물 층(oxid layer)에 의해 모든 주위가 절연된 플로팅 게이트(FG)이다. FG는 CG와 기판 사이에 위치한다. FG가 산화물층에 의해 절연되었기 때문에 그 곳에 위치한 전자는 갖히게 되고 따라서 정보가 저장된다. 전자가 FG에 있을 때, CG에서 나오는 전기장에 영향을 주어 셀의 문턱 전압(Vt)이 변경된다. 이와 같이 CG에 특정 전압을 가하여 그 셀의 정보를 읽을 때, FG에 있는 전자의 수에 따라 Vt이 다

개발한 신물질 BLT는 Ｆ램 제조에 사용되는 기존 강유전체의 약점을 뛰어넘은 새로운 강유전체로 평가 된다．비스무스－타이타늄 산화물에 란타늄을 치환해 만들어진 신물질 BLT는 기존 강유전체인 PZT의 ‘피로현상’과 SBT의 ‘고온제조’, 즉 반복적으로 정보를 읽고 쓰면 성능이 저하되는 피로현상과 공정온도가 높아 제조시간이 길어지고 비용이 올라가는 고온제조의 단점을 모두 극복한 획기적인 강유전체로 잘 알려져 있다. 또한 다층 박막과 인

디스플레이에는 현재, 인듐(In)을 사용한 산화물 반도체가 투명 전극으로서 사용되고 있지만, 박형 텔레비젼의 비트 등의 영향으로 원료 가격이 상승하고 있다. 이 때문에 저렴한 산화아연을 사용한 고품질 반도체가 생산되면 인듐의 대체 재료로서도 주목을 모을 것 같다.7. 투명 전자회로(CMOS 인버터 소자 이용)이번에 개발된 CMOS 인버터 소자란 p형 반도체 채널과 n형 반도체 채널을 가진 두 개의 트랜지스터를 직렬로 연결해 증폭기 등의 아날로그 회

회로나 소자의 개발로 인한 초소형 전자기기들이 개발될 것이다. 이는 기존의 IT 산업과 합쳐져서 제2의 정보혁명을 불러일으킬 것이다. 또한, 불치병에 대한 약물 치료나 수술로 인한 완치가 가능해 질 것이다. 초극세사나 초정밀 기계가 생산될 것이며, 초미립자 결정을 다룸으로 인해 초철강이나 나노머신이 개발될 것이다. 거시적 관점에서는 인류의 생활 패러다임이 변화할 것이며, 의학기술의 급속한 발전에 의한 수명연장, 유전자 조작 기술의 혁

디스플레이가 되기 위해서는 고성능의 칼라 LCD개발이 필수 불가결이었다. 그런 이유로 이제까지의 단순 매트릭스 구동 방식의 LCD와는 상이한 active matrix 구동방식의 TFT(thin film transistor:박막 트랜지스터) LCD가 개발되었다. 이 방식은 TFT라고 불리는 스위치 소자를 각 화소에 만들어 줌으로써 각 화소에 대한 개별적인 제어가 가능하게 되면서 종래의 단순 매트릭스 구동 LCD에 비하여 표시품위, contrast, 시야각을 비약적으로 향상시킬 수 있는 구조를 갖고