[신소재 연구설계] ALD(Atomic Layer Deposition)(영문)

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목차: 1.Introduction

ZnO
ZnO TFTs
Principle of ALD

2.Experiment & Results

3.Analysis & Conclusion

본문내용: → ALD is based on the sequential use of a gas phase
chemical process. ALD film growth is self-limited and
based on surface reactions, which makes achieving
atomic scale deposition control possible.

☞ Self-limited growth
☞ Atomic scale deposition
☞ Easy way to produce
uniform, crystalline,
high quality thin films.

-결정성 평가

-FWHM (Full width of half maximum)

-Δθ 작을 수록 결정성 향상

참고문헌: [1] H. KASHANI, ‘Structural, Electrical and Optical Properties of Zinc Oxide Produced by
Oxidation of Zinc Thin Films’, Journal of Electronic Materials, Vol. 27, No. 7, 1998
[2] 김희수, ‘ALD를 이용한 저온에서의 ZnO 박막 증착’, 한국진공학회지 제16권 3호,
(2007년 5월), pp.205~209
[3] T. Suntola, "Handbook of Thin Film Process Technology 1st Ed."
[4] Semyung Kwon, 'Fabrication of ZnO Thin Film Transistor at Various Temperatures
deposited by Atomic Layer Deposition', (2009)
[5] Jong Min Yuk, 'Effect of Thermal Annealing on the Microstructure of ZnO Thin Films
Grown on Si Substrate,(2007)
[6] Y. S. Rim, S. M. Kim, I. H. Son, W. J. Lee, M. K. Choi, and K. H. Kim, J. Kor. Vac. Soc. 17,
102, (2008).
[7] Tae young Ma, Dae Keun Shim, Effects of rapid thermal annealing on the morphology
and electrical properties of ZnO/In Films, Thin Solid Films 410 (2002) 8-13
[8] U. Ozgur, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin,
S. J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
[9] Yang Hee Jung, Oh Kyung Kwon, Seong Jun Kang, 'Influence of the substrate
temperature on the characterization of ZnO thin films', (2005)
[10] 徐政漢, 'A Study on Growth and Properties of ZnO Using MOCVD and ALD', (2009)
[11] Jae Soo Ha, Kwang Ho Kim, 'Effect of deposition variables and heat treatment
on the growth characteristics and electrical resistivity of ZnO thin film by sputtering’
, Journal of the Korean Ceramic Society vol.35,No.7,pp.733~739, (1998)

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