BJT Bias Circuits 레포트

BJT트랜지스터의 흐르는 전류를 최소화 할 것.위와 같은 목표를 설정하여 Common Emitter 2개와 Emitter follower 를 연결하여 다음과 같은 회로를 설계 하였다. BJT Amp Circuit먼저 Q1과 Q2는 Common emitter 로써 2개를 연결하였는데 많은 Gain을 만들어서 Output impedance 와 Input impedance를 만족시키기 위함이다. Q3는 Emitter Follower 로써 아웃풋 임피던스를 낮추기 위해서 설계하였다. R9와 C4는 Gain에 영향을 주지 않고 Emitter Follower에 흐르는 전류를 낮추기 위하여 연결 하였다.

BJT트랜지스터의 흐르는 전류를 최소화 할 것.위와 같은 목표를 설정하여 Common Emitter 2개와 Emitter follower 를 연결하여 다음과 같은 회로를 설계 하였다. BJT Amp Circuit먼저 Q1과 Q2는 Common emitter 로써 2개를 연결하였는데 많은 Gain을 만들어서 Output impedance 와 Input impedance를 만족시키기 위함이다. Q3는 Emitter Follower 로써 아웃풋 임피던스를 낮추기 위해서 설계하였다. R9와 C4는 Gain에 영향을 주지 않고 Emitter Follower에 흐르는 전류를 낮추기 위하여 연결 하였다.

BJT/Diode 류의 비선형소자를 포함한 회로를 능동회로(Active circuit)이라 부르고, 그렇지 않은 회로를 수동회로(Passive circuit)이라고 부른다. 이 분류법은 일반 전자회로와 완전히 동일하다.비선형소자가 포함된 경우에는 제3의 사용자 입력설정에 따라 이미 구성된 회로의 특성값을 바꿀 수 있거나, 비선형 동작을 이용하여 다양한 출력특성을 만들어내게 된다. 반면 R,L,C 혹은 기판,유전체 등의수동소자만 이용되는 수동회로의 경우 일단 만들어진 후에는 입

circuit of a RF silicon MOSFET, Solid State Electronics, vol. 45, no. 2 pp. 359-364, 2001. 7 S. Lee and H. K. Yu, A semianalytical parameter extraction of a SPICE BSIM3v3 for RF MOSFETs using S-parameters, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol.48, no. 3, pp. 412-416, 2000. 8 S. Lee, C. S. Kim, and H. K. Yu, Improved BSIM3v3 model for RF MOSFET IC simulation, Electronics Letters, vol. 36, no. 21, pp. 1818-1819, 2000.9 T. Ytterdal, Y. Cheng, and T. A. Fjeldly, Device Modeling for Analog and RF CMOS Circuit Design, Wiley, 2003.10 D. A. Hodges, H. G. Jackson, and R. A. Saleh, Ana

BJT 트랜지스터(transistor)에 대한 대화 상자.5) 시뮬레이션 해석 설정시뮬레이션할 회로도가 완성되면 그 다음에는 어떤 해석을 할 것인지 시뮬레이션 해석 설정을 해야 한다. Analysis 메뉴에서 Setup을 선택하면 그림 J.34와 같은 화면이 나타날 것이다. 각 항목에 대한 설명은 앞 절에서 설명하였으므로 앞 절을 참 고 하기 바란다.그림 J.34 시뮬레이션 셋업(setup) 화면. 이 그림은 실제 시뮬레이션할 때의 Setup 형태를 보여준다. 아날로그 회로를 해석 할