[트랜지스터] 트랜지스터의 특성
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- 목차
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1. 제목
2. Abstract
3. BackGround
(1) 트랜지스터
(2) 베이스 전송률
(3) 이미터공통 직류전류 이득
4. Simulation Result
실험1) PNP 다이오드의 4가지 특성
실험2) NPN 다이오드의 4가지 특성
실험3) PNP 공통 에미터 접지 회로
실험4) NPN 공통 에미터 접지 회로
5. Experiment Result
6. conclusion
- 본문내용
-
(1) 트랜지스터
트랜지스터는 3개의 단자를 가지며 2개의 단자를 가진 다이오드와는 다르다. 다이오드는 p 형 물질과 n형 물질로 구성되어 있고 트랜지스터는 2개의 n형 물질 사이에 1개의 p형 물질이 있거나 (npn 트랜지스터), 2개의 p형 물질 사이에 1개의 n형 물질이 있다.(pnp 트랜지스터) 트랜지스터는 3개의 층을 가지고 있는데 각각 이미터, 베이스, 컬렉터로 구분된다. 이미터는 보통 무겁게 도핑된 중간 크기의 층이며, 전자를 방출하거나 주입하는 역할을 한다. 베이스는 중간 정도로 도핑된 얇은 층으로서, 전자를 통과 시킨다. 컬렉터는 전자를 모으기 위하여 설계되어 있으며 가볍게 도핑한 커다란 크기의 층이다. 트랜지스터는 2개의 pn 접합을 붙여 이상화 할 수 있다. 이를 바이폴라 접합 트랜지스터라고 한다. 이미터 단자의 화살표는 트랜지스터가 npn형 또는 pnp형인가에 따라 방향이 바뀐다. 다이오드에서와 마찬가지로 화살표의 앞부분은 이미터와 베이스 사이의 전류의 방향을 나타낸다.
그림 10.2에 나타난 모든 세 전류와 세 전압이 트랜지스터의 특성을 표시하는데 쓰이지만 오직 두 개의 전류와 두 개의 전류만이 독립적이다. 여기서 키르히호프의 법칙을 적용하면 그리고 ( ) 이 성립된다.
트랜지스터는 두 개의 반도체 접합부를 서로 아주 근접하도록 형성시켜서 만든다. npn트랜지스터는 그림 5-6(a)와 같은 두 개의 n형 물질과 p형 물질로서 구성되어 있다. n형물질의 한 영역을 콜렉터(collector), 그리고 또 다른 n영역은 에미터(emitter), 중앙에 있는 p형 영역은 베이스(base)라고 부른다. 그림 5-6 (b)에서 에미터 단자의 화살표는 트랜지스터가 npn형 또는 pnp형인가에 따라 방향이 바뀐다. 다이오드에서와 마찬가지로 화살표의 앞부분은 에미터와 베이스 사이의 전류의 방향을 나타낸다.
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