(전자공학) 슈미트 트리거 실험

전자에 대한 배경 지식을 공부하면서 반전증폭기에 관한 공식들이 있다는 것을 알게 되었다. 우리의 과제에는 반전증폭기의 계산에 관한 사항은 없었으나 오실리스코프와 반전 증폭기를 이용하여 새로 알게 된 공식을 사용하여 정보를 계산 할 수 도 있었을 것이다.6. 참고문헌1. 박진배 역, 전기공학개론, 피어슨 에듀케이션 코리아, pp. 358-3622. 기현철 저 “개념 잡이 기초 전자 회로 ”, 두양사, pp.15-243. 기계자동차 실험 강의 노트. “전기전자 실

트리거 펄스 발생 소자인 DIAC은 4층 접합 다이오드이며 일반적으로 차단(OFF) 상태로 있다가 양 단자 전압이 약 15V 내외 이상이 되면 순간적으로 도통(ON)되는 성질을 가지고 있어 트리거가 시작되는 위치를 일정하게 만들어 준다.실험 결과 ① 높은 전원을 다루므로 감전되지 않도록 세심한 주의를 기울여야 한다.② 교류 전원 장치는 실험실에서 제공하는 절연 변압기가 내장된 슬라이닥을 사용해야 하며, 절대로 임의로 만져서는 안 된다.③ 오실로스

트리거, 수직 스케일 및 수평스케일을 설정한다.9 DEFAULT 키 : 오실로스코프 설정 초기화를 한다.나. 함수발생기(Function Generator)함수 발생기(Function Generator)는 전자 시험 장비의 한 종류로, 전자 신호인 파형과 회로에서 필요로 하는 여러 신호원들을 발생시키기 위한 장치이다. 보통 주파수발생기로도 불리면서 실험에 요구되는 적절한 주파수를 발생시킨다.가장 일반적인 파형으로는 사인파(sine), 방형파(square), 삼각파(triangular), 톱니파(sawtooth) 등을

공학,홍릉과학출판사,1992▶디지탈논리와 컴퓨터설계,황희융,1986▶디지탈전자회로,탑출판사,1982▶디지탈논리설계기초,에드텍,1994FILE:14CHAPTE.HWPⅠ.제목―랜덤 억세스 메모리:(RAM)-스크래취 패드 메모리Ⅱ.목적1.반도체 메모리의 기본원리에 대해 공부한다.2.TTL MSI 64비트 메모리셀의 동작에 대해 공부한다.Ⅲ.실험기기 및 부품▶직류 전원공급기:+5V,100㎃이상▶CRO : dc 결합된 입력과 전압교정된것▶스위치 뱅크:뱅크당 10개의 스위치▶TTL-IC 7400:4

주파수가 거의 같거나 동일한 정현파 두 개를 입력하고 X-Y모드에서 관측시 원이 관측된다.4. 소감￫ 2학년 복학을 하고 처음으로 듣는 실험 수업이라 오실로스코프에 대한 정보를 조금 주위에 물어보고 들어갔다. 그런데 기계가 바뀌어 있었다. 조금 많이 당황했으나 오실로스코프를 작동시키고 만지는 작업에서 많은 흥미를 느꼈다. 그리고 앞으로의 실험에 대비하여서 배경지식을 많이 쌓아야겠다는 생각도 들게 되었다. 앞으로의 실험이 기대된다.