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재료산업과 기술혁신 -AlN reinforced Aluninum Matrix Composite
AlN reinforced Aluminum Matrix Composite판매Temperature 54Humidity 19Vibration 22Dust 6차트 데이터 범위의 크기를 조정하려면 범위의 오른쪽 아래 모서리를 끄십시오. 온도53%습기19%진동22%먼지6%열이 전자기기에 미치는 영향U.S. Air Force Avionics Integrity Program notes 1989.열팽창에 의한 수명 단축, 열화에 의한 효율
17페이지 | 1,400원 | 2012.02.11
[반도체설계] AlN, GaN, AlGaN 이종접합구조 전계효과
AlN/GaN/AlGaN 이종접합구조 전계효과 ABSTRACTAlN / GaN / AlGaN enhancement mode double-hetero junction field effect transistor (DHFET) can be used in high frequency application due to its fast mobility and switching speed. The device structure consists of 2nm~4.5nm AlN / 30nm GaN / 50nm AlGaN. Increase of AlN layer induces conduction band bowing of AlN / GaN interface and results in in
3페이지 | 1,100원 | 2011.04.12
재료산업과 기술혁신 -AlN reinforced Aluninum Matrix Composite
AlN reinforced Aluninum Matrix Composite개요집적회로 개발기술의 향상으로 소형의, 그리고 고출력 전자소자에 대한 개발이 활발히 이루어지면서 소자에서 발생하는 열량이 증가함에 따라 부품의 구동온도를 일정히 유지시키기 위해 열을 부품 외부로 신속히 방출시킬 수 있는 우수한 방열재료에 대한 필요성
12페이지 | 1,400원 | 2012.02.11
AlN을 합성하는 알루미늄 원료(금속 알루미늄 분, 알루미나 분)을 정재 함으로써 달성 할 수 있지만 산소 함유량의 콘트롤은 매우 어렵다. AlN 중의 산소는 소결할 때 치밀화를 촉진하는 작용이 있다고 하지만, 질화알루미늄의 특성 중 가장 주목되는 열전도율을 크게 저하시키는 작용이 있다.질화알루미
8페이지 | 1,600원 | 2006.06.17
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