레포트 (80)
[신소재공학] 재료분석 실험(S전해밀도와 Stirring Speed에 따른 Cu 전해도금의 특성)
박막의 두께 그리고 측정 시 온도까지 3가지 계수를 이용하여 산출되며, 이번 실험에서는 보정계수를 적용하여 측정된 값을 이용하였다. V/I = ROhm × C.F = Ω/□2.4.2 금속의 박막두께측정금속의 비저항(ρs, Ω∙cm)값을 이용하여 면 저항값을 이용한 금속 박막 두께를 측정할 수 있다. 이는 비저항 값을 알
11페이지 | 1,400원 | 2011.02.08
분극전계에 의한 재결합 확률 저하=>비 발광 재결합에 포함되는 전자, 정공쌍이 증가-GaInN 발광층과 GaN 바탕층 사이의 매우 큰 격자 부정합 (3~4%)-In 몰분율 증가로 InN와 GaN의 비혼합성 상승 GaInN 성장이 어려움ⓒ해결방안: 비극성 및 반극성 면의 사용, GaInN 바탕층 사용, 가압성장, GaN기판 성장※UV LED:
7페이지 | 1,200원 | 2010.09.08
[전지기술설계] 저온형 SOFC(Solid oxide fuel cell)
박막 고체산화물 연료전지(thin film SOFC)를 제조하기 위해 코팅되며 기존의 마이크로 YSZ 분말에 비해 소결온도가 낮고 연료극/전해질/공기극의 공소결을 가능케하여 연료전지의 제조공정을 단순화할 수 있는 이점이 있다.표 2. 나노 YSZ 분말의 제조방법과 결정 크기또한 나도 YSZ는 연료극 및 공기극의
30페이지 | 1,800원 | 2010.08.20
[디스플레이재료실험] 알루미늄 양극산화 피막형성에 미치는 인가전압의 영향
박막의 생산과정에서 박막의 전도성을 검사하기 위하여 쓰인다.5. 분석 및 결과예측상온에서 자연적으로 생성되는 자연피막보다 일정 전해액 속에서 적정 조건하에 분극을 시킬 경우 두꺼운 양극 산화피막이 생성되게 된다. 따라서 이번 실험은 이 양극산화를 통해 생성되는 피막의 표면을 관찰하고
9페이지 | 1,400원 | 2010.07.28
[디스플레이재료실험] 알루미늄 양극산화 피막형성에 미치는 인가전압의 영향
박막 제작에 관한 연구, 동아대학교, 20013 소결형 알루미늄 고체축전기의 제조에 관한 연구, 윤용구, 장현구4 양극산화 기술, 알루미늄 양극산화 피막형성에 미치는 전해액의 영향, 서울시립대학교, 19975 박형 알루미늄 고체축전기의 제조 및 평가, 장현구, 19816 알루미늄 경질양극 산화피막에 관
12페이지 | 1,200원 | 2010.07.28
[자동차공학] 자동차의 유리에 led기술을 접목시켜 실용성을 극대화 시킨다
분극입자분산(SPD), 포토크롬(CP), 일레트로크로믹(EC), 써모크롬(LTC)등으로 구분되고 있다. 차세대 고기능성 및 고부가가치의 제품으로 각광받게 되면서 선전기업과 관련 연구기관에서는 막대한 예산을 투입하여 개발을 추진하고 있다. 현재 실용화되고 있는 스마트 유리로는 액정을 이용한 것과 일렉트
10페이지 | 1,100원 | 2010.07.23
박막기술에 의해 얻어지는 계면을 갖는 고체상 전지시스템의 구성도 가능하다.2 층상재료와 cathode의 증착뿐만 아니라 전기화학적 분리막 혹은 전해질인 빠른 이온 전도체를 증착하기 위한 박막기술의 사용은 많은 이점을 제공한다: (衁) 박막기술은 고급 마이크로 엘렉트르닉스에서 폭넓게 사용되고
20페이지 | 1,400원 | 2010.06.03
박막형 다이오드 소자를 뜻한다. 위의 그림은 TFD가 디스플레이 구동 소자로 사용된 경우의 예를나타낸다. TFT 자리에 diode가 형성되며, diode에 의해 LC의 구동이 이루어진다. 위의 오른쪽 그림은 회로 개념도를 나타낸다.TFD의 일반 구조는 하부 metal/절연막/상부 metal 구조로 이루어진다.하부 metal로 가
26페이지 | 10,000원 | 2010.03.24
박막을 사용하여 기존의 탄소나 팔라듐으로 만든 전극에 비해 정확성이 매우 뛰어나다. 측정 시간은 11초로 매우 빠르며 극소량(4ml)의 혈액으로도 정확한 측정이 가능하다.3-5) 토양 진단용 바이오센서도쿄 공과대학은 실용화를 향한 데이터 수집과 제품화를 위한 연구를, 산업기술 종합 연구소는 바이
26페이지 | 2,100원 | 2010.01.27
박막형성, 식각, dopant 등 여러 가지의 제조 공정이 필요하다. 이러한 공정들에 대한 세부사항은 이후에 설명하기로 한다.② 반도체의 종류반도체는 크게 구분하여 실리콘, 게르마늄(germanium) 등과 같은 Ⅳ족 반도체와 Ⅲ족과 Ⅴ족, 혹은 Ⅱ족과 Ⅳ족이 결합된 화합물 반도체로서 나눌 수 있다. Ⅲ-Ⅴ 화
42페이지 | 2,200원 | 2010.01.18
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