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[반도체공정실험] MOS capacitor 직접 제작, 공정
1. 실험목적2. 실험이론① MOS capacitor② 증착방법의 원리와 종류(a) 증착 방식(b) 증착 방법(c) Photolithograhy3. 실험과정 4. 변수 및 결과① 실험 변수② 실험 결과5. 결과분석① 1조 결과분석② 1조, 2조 결과 비교분석③ 1조, 3조 결과 비교분석6. 결론7. 참고문헌1. 실험목적MOS capacitor를 직접 제작
17페이지 | 1,900원 | 2013.03.20
[전자재료실험] MOS capacitor 의 C-V, I-V 특성 측정 실험
실험에서는 산화층 두께와 금속 전극의 종류에 따른 MOS capacitor 의 C-V, I-V 특성을 알아보았다. 실험결과에서 오차의 값이 나왔지만, 여러 이론들을 종합한 결과 산화층의 두께가 두꺼워 질수록 축전용량과 leakage current의 증가량은 감소한다는 것을 알게 되었다. 금속의 저항값에 따라 leakage current의 발생
8페이지 | 1,200원 | 2013.04.11
MOS는 반전 모드 상태이다. 하지만 C-V curve의 모습에서 볼 수 있듯이, 주파수가 빠르기 때문에 Channel이 형성될 시간이 부족하여 반전 모드가 발생하지 않고 있다. 따라서 이론적으로 전류가 흐르지 않아야 하며, 실험상에서도 전류가 흐르지 않고 있기 때문에 실험결과에 오류가 없음을 알 수 있다. 4. Conc
18페이지 | 1,900원 | 2014.12.23
[전자재료실험] MOS capacitor의 Silicon층 위의 Oxide층 제작 공정 분석
상태 때문에 Ge보다는 Si 사용한 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)이 반도체산업의 중심에 서있다. 이러한 MOSFET의 바탕이 되는 MOS를 이용한 capacitor 즉 MOS capacitor는 유전체로써 oxide를 사용하였기 때문에 붙여진 이름이며 이번 실험에서 제작할 소자이다. 전기신호의 증폭과 스위칭을 가능하게
16페이지 | 1,700원 | 2013.04.11