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재료 공정 실험설계 과제BaTiO3의 나노 분말 합성법 공정 설계Goal & Condition ?BaTiO3의 나노 분말의 제조 낮은 생산단가 & 대량생산 가능한 공정설계Processing?공침법Sol-gel 법수열합성법열분해법습식법고체상 반응법about Processing기상법BaTiO3 분말을 제조하는 가장 대표적인 방법.고상의 Ba 및 Ti원
18페이지 | 1,500원 | 2014.11.25
【B조 최종 결과 보고서】● 목 차 ●제1장 서론 및 실험목적1. 서론 및 실험목적 1제 2 장 실험 과정에서 필요한 배경 이론1. 시료소개 2BaTiO3(티탄산 바륨)의 성질 22. 고상반응법 33. XRD 6XRD와 관련한 오태성 교수님 필기자료 인용 74. SEM 115. XRD와 S.E.M 촬영 그래프 및 이미지 12※SEM촬영에 관해 조사
19페이지 | 3,000원 | 2013.07.16
BaTiO3 나노분말합성의 공정을 설계BaTiO3분말제조법⑴고체상반응법BaTiO3 분말을 제조하는 가장 대표적인 방법으로써 고상의Ba및Ti원을 기계적으로 혼합하고 고온에서 고상 확산 반응시켜 분말을 제조하는 것이다. 즉 BaCO3와 TiO2를 공기 중에서 하소하면 TiO2-BaCO3계면에서 최초로 반응이 일어나 CO2가
8페이지 | 900원 | 2014.11.25
반응, 규산염 공장, 전자 재료 공업 따위에서 이용 한다.고상반응을 이용한 분말제조- 2종이상의 산화물이나 탄산염 등을 혼합하여 고온에서 고체간에 반응을 일으키게 함으로써 원하는 조성의 분말을 얻는 방법. (700~1500℃)ex) (1) BaCO3 + TiO2 → BaTiO3 + CO2(2) (1-x)NiO + xZnO + Fe2O3 → Ni1-xZnxFe2O4(3) SiO2 + 3C
5페이지 | 2,000원 | 2015.07.17
BaTiO3는 공업적으로 BaCO3와 TiO3 혼합물을 900℃ ~ 1,100℃에서 1차 하소한 후 다시 1,300℃ 이상에서 고상반응으로 소결하여 제조한다. 본 실험에서 P.T.C를 만들어봄으로서 전반적인 제조과정을 이해하고 P.T.C의 성질을 이해하는데 목적이 있다.Ⅱ. 실험이론1. 페로브스카이트(Perovskite)란?A와 B음이온들의 크
12페이지 | 10,000원 | 2005.12.10
반응하여 전기저항이 감소하는 전자회로용 소자다. 온도가 높아지면 저항값이 증가하는 PTC는 티탄산바륨(BaTiO3)을 주성분으로 하여 만들며 CTR는 산화바라듐(VO2)을 주성분으로 하여 만든다. 구조적으로는 직접 열을 감온하는 직열형과 좀 떨어져서 열을 감온하는 방열형, 서서히 열을 감온하는 지연형으
27페이지 | 2,100원 | 2009.07.23
반응 비고주파수 : 60Hz통전시간 : 1초전류값 : 실효값1mA 최소감지한계값불수전류(freezing current5mA 전류감지 최대값10~20mA이탈불가 전류마비한계 전류50mA 이상고통(근육수축,호흡마비)100~300mA 심실세동6A 이상지속적심장수축,호흡정지, 3도화상
96페이지 | 30,000원 | 2021.09.05
반응을 일으키면서 얻고자 하는 물질 외의 다른 물질들이 얻어졌다는 것을 Peak data를 통해 알 수 있었다.또한 Ba(OH)2의 경우는 한가지의 불순물만이 존재했는데 아마도 반응성이 더 낮아 다른 물질들이 합성하지 못하여 이런 결과가 생긴것이라고 생각한다.미량의 분말을 통해서도 이 물질의 성분을 분
3페이지 | 800원 | 2014.03.26
반응에 의한 분체의 제조고체상태의 원료들(두 물질 이상)을 평량, 혼합하여 성형 및 소결을 하는 경우BaCO 3 +TiO 2 ``` -> ```BaTiO 3(S) +CO 2 (g)SiO 2 +3C````` -> ````SiC``(S)+2CO(g)3Al 2 O 3 +2SiO 2 ``` -> ```3Al 2 O 3 BULLET 2SiO 2 (S)① 열분해법탄산염, 수산화물 및 수산염 등을 가열하고 분해하여
20페이지 | 2,500원 | 2014.03.26
반응성 기체(reactive gas)를 사용하는 건식(dry etching)이 있다. 습식에칭은 일반적으로 에칭 용액(액체)에 wafer를 넣어 액체-고체(liquid-solid) 화학반응에 의해 에칭이 이루어지게 하는 것을 말한다. 습식에칭은 반도체 공정에서 매우 광범위하게 사용되고 있다. 즉, 절단한 wafer의 표면 연마, 열산화막이나 에
7페이지 | 1,500원 | 2014.03.26