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기초전자 물리실험 - 전자공학센서 활용 및 실험 데이터 분석
기초전자 물리실험 - 전자공학센서 활용 및 실험 데이터 분석1.실험제목 : 전자공학센서 활용 및 실험 데이터 분석2.실험자 : 3.실험일자 : 4.제출일자 : 5.실험목표1. 물리량 측정용 센서로 물리량을 측정할 수 있다. 2. 물리량 측정용 센서로 측정한 물리량을 분석할 수 있다.3. Logger Pro 3의 8가지 기본
13페이지 | 2,000원 | 2014.01.14
기초전자공학 실험 - 키르히호프의 법칙1. 실험 제목- 키르히호프의 법칙2. 실험 목표- 저항소자에 흐르는 전류관계를 확인하여 키르히호프의 전류법칙을 이해한다.- 저항소자에 흐르는 전압관계를 확인하여 키르히호프의 전압법칙을 이해한다.3.실험재료- 디지털 멀티미터, 전원공급기, 1 ㏀, 3.8
3페이지 | 800원 | 2017.03.17
기초전자 공학 실험 - RLC 소자1. 실험 제목- RLC 소자2. 실험 목표- 저항 값 읽는법을 숙지한다.- 커패시터 값 읽는 법을 숙지한다.- 인덕터 값 읽는 법을 숙지한다.3.실험재료- 디지털 멀티미터, 전원공급기, 1 ㏀, 2㏀, 10 ㏀, 47 ㏀, 100 ㏀ 저항4. 실험 과정 및 결과1) 저항이 1 ㏀ 및 2 ㏀ 인 저항 두 개를
3페이지 | 800원 | 2017.03.17
A+ 45 예비레포트 기초전자공학실험 - 오실로스코프 및 함수 발생
기초전자공학실험 예비 Report제목오실로스코프 및 함수 발생기 동작실험 목적오실로스코프와 함수발생기를 사용하여 여러 전압 신호의 진폭과 지속시간(주기)을 계산하고측정한다.실험 장비1. 계측기- 오실로스코프(Oscilloscope)- 디지털 멀티미터(Digital Muti Meter)2. 전원- 1.5V 건전지와 홀더- 함수
3페이지 | 1,000원 | 2021.04.21
A+ 4.5 예비레포트 기초전자공학실험 - 다이오드 특성
기초전자공학실험 예비 Report제목다이오드 특성실험 목적실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고, 비교하고, 그리고 측정한다.실험 장비다이오드(Diode)저항(Resistance)브레드보드(Breadboard)이론1. 다이오드(Diode)1-1 다이오드의 정의다이오드(diode)는 게르마늄(Ge)이나 규소(Si)로 만들어
3페이지 | 1,000원 | 2021.04.21
[A+ 4.5 예비레포트] 기초전자공학실험 - 직렬 및 병렬 다이오드 회로
기초전자공학실험 예비 Report제목직렬 및 병렬 다이오드 구조실험 목적직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고 측정한다.실험 장비1. 다이오드(Diode)2. 저항(Resistance)3. 브레드보드(Breadboard)4. 디지털 멀티 미터(DMM)5. 직류전원이론1. 직렬
3페이지 | 1,000원 | 2021.04.21
[A+ 4.5 예비레포트] 기초전자공학실험 - 반파 및 전파 정류
기초전자공학실험 예비 Report제목반파 및 전파 정류실험 목적반파 및 전파 정류 회로의 출력 직류 전압을 계산하고, 그리고, 측정한다.실험 장비오실로스코프DMM저항 (2.2k OMEGA , 3.3k OMEGA )Si 다이오드함수발생기이론1. 정류 (Rectification)교류에너지(AC)를 직류에너지(DC)로 변환(convert)하는 과정을
2페이지 | 1,000원 | 2021.04.21
[A+ 4.5 예비레포트] 기초전자공학실험 - 발광 및 제너 다이오드
기초전자공학실험 6주차 예비 Report제목발광 및 제너 다이오드실험 목적발광 다이오드와 제너 다이오드의 전류와 전압을 계산하고, 그리고, 측정한다.실험 장비DMM 4. LED2. 저항 (100 OMEGA , 220 OMEGA , 330 OMEGA , 2.2k OMEGA , 3.3k OMEGA 1k OMEGA ,) 5. 제너(10V)3. 다이오드 ( Si ) 이론< 발광 다이오드 >1. 발광 다이
3페이지 | 1,000원 | 2021.04.21
[A+ 4.5 예비레포트] 기초전자공학실험 - JFET 특성, JFET 바이어스 회로(PSpice 포함)
기초전자공학실험 11주차 예비 Report제목JFET 특성JFET 바이어스 회로실험 목적JFET 트랜지스터의 출력 특성, 드레인 특성, 그리고 전달 특성을 구한다.고정 바이어스, 자기 바이어스, 전압 분배기 바이어스 JFET 회로를 분석한다.실험 장비DMM2. 저항 ( 100Ω, 1 kΩ, 10 kΩ, 15 kΩ, 1 MΩ ) / ( 1 kΩ, 1.2 kΩ, 2.
8페이지 | 1,000원 | 2021.04.21
[A+ 4.5 예비레포트] 기초전자공학실험 - BJT의 이미터 및 컬렉터 귀환 바이어스(PSpice 포함)
기초전자공학실험 8주차 예비 Report제목BJT의 이미터 및 컬렉터 귀환 바이어스실험 목적이미터 바이어스와 컬렉터 귀환 바이어스 BJT 구조의 동작점을 결정한다.실험 장비DMM2. 저항 ( 2.2 kΩ, 3 kΩ, 390k OMEGA , 1 MΩ )3. 트랜지스터 ( 2N3904 또는 등가, 2N4401 또는 등가 ) 이론1. 이미터 바이어스 1-1. 이미
4페이지 | 1,000원 | 2021.04.21