[공학] 광소재 FED 원리와 구조

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목차
1.Display의 분류
2.FED란 무엇인가?
3.왜 FED를 사용하는가?
4.FED의 핵심기술
5.FED를 구성하는 이론
6.Basic Theories - Tunneling
7.Basic Theories - Energy Band
8.Basic Theories - Energy Band for metal
9.Field Emission (전계 방출)
10.Electron Emission (전자 방출)
11.Basic Structure of FED (FED의 기본 구조)
12.Mechanism of FED (FED 동작원리)
13.Color - 근접집속 화소정렬 방법
14.FED process
15.Emitter의 종류
16.금속 tip emitter의 제조공정
17.실리콘 tip emitter의 제조공정
18.형광체(phosphor)
19.형광체 제조 및 증착
20.Spacer
21.진공 packaging 공정
22.진공 패킹된 FED의 단면구조
23.FEA 패널의 제조공정
본문내용
원추형 tip(spindt type cathode)
-금속 tip
-실리콘 tip
테두리형 emitter
잎사귀형(leaf type)
빗형(comb type)
별형(star type)
저항층(resistive layer)을 갖는 tip형 emitter
평면형 emitter-MIM구조
-CNT(탄소나노튜브)


형광이란, 물질의 내부에 있는 전자가 외부로부터 에너지를 받아 여기되고 에너지를 받는 동안에 여기 에너지가 가시광을 생성하는 현상.


FED 형광체의 조건-저전압에서 좋은 효율
-고전류에서 높은 안정도
진공 packaging의 필요
잔류가스의 이온화로 발생한 양이온에 의한 tip emitter의 열화
emitter와 형광체 사이에 발생하는 방전에 의한 열화
이와 같은 열화 방지를 위해 degassing한 후에 고진공 유지

고진공 packaging 공정을 위한 이상적인 요건
진공도 10-6~10-7 torr 영역 유지
낮은 누설율
전면판과 배면판에 친화적
제조공정에서 저온 사용
Packaging 소모시간 최소화

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