[반도체] 웨이퍼 세정 기술
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- 목차
-
1. 반도체
제조
공정과
웨이퍼
공정과
웨이퍼
이해
2. 오염과
세정의
목적
오염
및
세정
분류, 목적
이해
습식
세정
기술, 습식
세정의
한계
3. 세정
공정의
개요
4. 건식
세정
초임계
이산화탄소를
이용한
건식
세정
기술
5. 결론
향후의
전망
- 본문내용
-
Pulling of a Si crystal from the melt (Czochralski
method)
고순도로
정제된
실리콘
용융액에
SEED 결정을
접촉, 회전시키면서
단결정
규소봉(ingot)을
성장시킨다.
SiO
2
+
2C
→
Si(MGS,
poly)
+ 2CO
Si
+
3HCl
→
SiHCl
3
+
H
2
2SiHCl
3
+
2H
2
→
2Si(EGS)
+ 6HCl
순도
99.9999999% 단결정
규
소를
얇게
잘라
표면을
매끈하
게
다듬은
것.
최근
두께
0.3mm, 지름
15cm 원판형으로
사용
앞으로
지름
30cm의
대형
웨
이퍼가
등장할
것임.
표면
결함이나
오염, 평탄도가
회로의
정밀도에
큰
영향을
미
친다.
NanNoaspnohseprheerPerPorcoecses s& & T Techhnnoll
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- dkut***
(2016.07.25 17:44:47)
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