[전자회로] RC 미적분 회로

전자회로,탑출판사,1982▶디지탈논리설계기초,에드텍,1994FILE:14CHAPTE.HWPⅠ.제목―랜덤 억세스 메모리:(RAM)-스크래취 패드 메모리Ⅱ.목적1.반도체 메모리의 기본원리에 대해 공부한다.2.TTL MSI 64비트 메모리셀의 동작에 대해 공부한다.Ⅲ.실험기기 및 부품▶직류 전원공급기:+5V,100㎃이상▶CRO : dc 결합된 입력과 전압교정된것▶스위치 뱅크:뱅크당 10개의 스위치▶TTL-IC 7400:4개의 2입력 NAND게이트▶TTL-IC 7403:4개의 2입력 NAND게이트,오픈 콜렉터▶TTL-IC

회로기호(a) pnp 트랜지스터 (b) npn 트랜지스터트랜지스터에 바이어스를 인가하기 전에는 그림 1.6의 (a)와 같은 전위 장벽이 형성되는데,에미터와 베이스 사이의 p-n 접합부분에는 순방향을, 콜렉터와 베이스 p-n 접합부분에는역방향의 바이어스를 걸어주면 전위장벽이 (b)와 같이 변화하여 에미터의 전자가 베이스를 통과하여 콜렉터로 쉽게 이동할 수 있게 된다.그림 1.6 바이어스에 따른 전위 장벽의 변화(a) 바이어스 인가 전 (b) 바이어스 인가 후이

전자회로,탑출판사,1982▶디지탈논리설계기초,에드텍,1994FILE:14CHAPTE.HWPⅠ.제목―랜덤 억세스 메모리:(RAM)-스크래취 패드 메모리Ⅱ.목적1.반도체 메모리의 기본원리에 대해 공부한다.2.TTL MSI 64비트 메모리셀의 동작에 대해 공부한다.Ⅲ.실험기기 및 부품▶직류 전원공급기:+5V,100㎃이상▶CRO : dc 결합된 입력과 전압교정된것▶스위치 뱅크:뱅크당 10개의 스위치▶TTL-IC 7400:4개의 2입력 NAND게이트▶TTL-IC 7403:4개의 2입력 NAND게이트,오픈 콜렉터▶TTL-IC

회로를 조금 수정하였다. 커패시터가 터질 위험이 있을 수도 있다고 하셔서 커패시터 아래 10kΩ을 추가해주었다.표 10-1RC회로시정수RC이론값(sec)측정값(sec)오차1kΩ10uF0.110.19.091kΩ100uF1.11.29.0910kΩ10uF0.20.114510kΩ100uF21.240표 10-2 RC회로출력파형비고RC1kΩ10uF시간 축 한 칸이 100ms1kΩ100uF시간 축 한 칸이 1s10kΩ10uF시간 축 한 칸이 50ms10kΩ100uF시간 축 한 칸이 250ms⑵ 미적분회로 그림 10-2, 그림10-3에서와 같은 회로를 꾸미고

RC회로1.실험목적- RC회로에서 축전기의 충전과 방전현상을 이해하고 시간상수를 측정하여 전기용량을 계한할 수 있다.- 실험장치의 전압센서를 이용하여 회로의 축전기 양단의 전압을 측정하여 회로에서의 축전기의 역할을 설명할 수 있다.2.배경이론(1)축전기(capacitor)주로 전자회로에서 전하를 모으는 장치이다. 진공 축전기, 공기 축전기, 금속화종이 축전기 등이 있다. 보통 2장의 금속판을 전극으로 하고 그 사이에 절연체(유전체)를 넣은 구조로